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本发明提供了一种晶体管，包括衬底，堆叠于所述衬底上的二维半导体层，设置于所述二维半导体层两侧的源电极和漏电极，堆叠于所述二维半导体层上的栅控介质层，堆叠于所述栅控介质层上石墨炔层，位于所述石墨炔层上方的栅电极，填充于所述栅电极与所述石墨炔层...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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