薄膜晶体管和阵列基板制造技术

一种薄膜晶体管和阵列基板，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，第一有源层通过位于第一绝缘层中的第一过孔结构与第二有源层接触，第一有源层与第二有源层未接触的部分通过第一绝缘层间隔开，该薄膜晶体管具有多个有源层结构，使得电荷分别聚集在每个有源层的两个表面，从而使得聚集在有源层的表面的电荷的数量成倍地增加，进而使得薄膜晶体管的开态电流成倍地增加。晶体管的开态电流成倍地增加。晶体管的开态电流成倍地增加。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和阵列基板


[0001]本技术的实施例涉及一种薄膜晶体管和阵列基板。

技术介绍

[0002]根据薄膜晶体管的栅电极和有源层的相对位置，可以将薄膜晶体管分为顶栅结构和底栅结构，根据源漏电极层相对于有源层的位置可以将薄膜晶体管分为顶接触型结构和底接触型结构，即薄膜晶体管包括底栅顶接触、底栅底接触、顶栅顶接触和顶栅底接触四种结构。
[0003]薄膜晶体管包括硅基薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管以及有机薄膜晶体管等。硅基薄膜晶体管因其具有较好的性能和能大面积制备而广泛用于显示面板。随着显示技术的发展，硅基薄膜晶体管的固有缺点，例如非晶硅薄膜晶体管的迁移率低、稳定性差，多晶硅薄膜晶体管的均匀性差和成本高，使硅基薄膜晶体管难以满足发展的需要。有机薄膜晶体管虽然能够有效的降低成本，但是其性能远不能满足显示技术的需要。相对于硅基薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管的技术优势明显，其具有更高的迁移率、更陡的亚阈值摆幅、更小的关态泄漏电流、更好的器件性能一致性，制备金属氧化物半导体的工艺简单、工艺温度低、稳定性好，且形成的金属氧化物薄膜晶体管对于可见本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；依次层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，所述第一有源层通过位于所述第一绝缘层中的第一过孔结构与所述第二有源层接触，所述第一有源层与所述第二有源层未接触的部分通过所述第一绝缘层间隔开。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括源漏电极层，其中，所述源漏电极层与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极层通过第二过孔结构与所述第二有源层电连接，所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且至少部分所述源漏电极层延伸至所述第一过孔结构中。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极在所述第一有源层的靠近所述衬底基板的一侧，且在所述第一栅极和所述第一有源层之间设置有第一栅绝缘层；所述第二栅极在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有第二栅绝缘层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二过孔结构依次贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和部分所述第一绝缘层。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄杰，宁策，李正亮，胡合合，姚念琦，赵坤，周天民，雷利平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：