背栅晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种背栅晶体管及其制作方法，包括：提供衬底；利用原子层沉积技术，在所述衬底上生长介质层；利用原子层沉积技术，在所述介质层上生长有源层；对所述有源层进行刻蚀以形成沟道，所述沟道的底部露出所述介质层；形成源漏电极，所述源漏电极覆盖所述沟道底部露出的部分所述介质层和部分所述有源层

【技术实现步骤摘要】
背栅晶体管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及仿生人工突触器件
，特别涉及一种背栅晶体管及其制作方法
。

技术介绍

[0002]基于冯
·
诺依曼体系结构的计算因其解决复杂结构化数学问题的能力而得到了半个多世纪的快速发展
。
基于冯
·
诺依曼体系结构的计算潜力实际上受到内存和中央处理器物理分区的限制，导致数据密集型操作的高能耗
。
然而，高能耗将很快难以满足日益增长的智能计算需求
。
相比之下，人类的大脑可以被认为是最有效的生物处理器
。
它能以极低的能耗和较强的容错性实现高速并行信息处理，实现数据密集型计算能力
。
为此，具有模拟人脑生物计算能力的人工神经网络受到越来越多的关注
。
[0003]近年来，场效应晶体管
(FET)
被提出于人造突触器件的应用，如有机纳米颗粒场效应晶体管
、
离子
/
电子杂化突触晶体管
、r/>铁电
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种背栅晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；利用原子层沉积技术，在所述衬底上生长介质层；利用原子层沉积技术，在所述介质层上生长有源层；对所述有源层进行刻蚀以形成沟道，所述沟道的底部露出所述介质层；形成源漏电极，所述源漏电极覆盖所述沟道底部露出的部分所述介质层和部分所述有源层
。2.
根据权利要求1所述的背栅晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底为低阻
N
型硅片；所述介质层的材质为氧化铪；所述有源层的材质为氧化锌；所述源漏电极的材质包括钛和金
。3.
根据权利要求1所述的背栅晶体管的制作方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术，在所述衬底上生长介质层的方法包括：采用等离子体增强原子层沉积技术在所述衬底上进行多次循环生长以形成介质层，其中生长工艺温度为
250
～
270℃
，每次循环生长采用氮气吹扫和氧等离子体脉冲
。4.
根据权利要求3所述的背栅晶体管的制作方法，其特征在于，当所述介质层的材质为氧化铪时，以四二甲氨基铪作为前驱体；每次循环生长依次进行
0.2s
四二甲氨基铪脉冲
、2s
氮气吹扫
、0.2s
氧等离子体脉冲和
2s
氮气吹扫
。5.
根据权利要求1所述的背栅晶体管的制作方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术，在所述介质层上生长有源层的方法包括：采用热法原子层沉积技术在所述介质层上进行多次循环生长以形成有源层，其中生长工艺温度为
200
～
220℃
，每次循环生长采用氩气吹扫和水蒸气脉冲
。6.
根据权利要求5所述的背栅晶体管的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢红亮，顾泽宇，李煜淳，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：