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本发明提供一种背栅晶体管及其制作方法，包括：提供衬底；利用原子层沉积技术，在所述衬底上生长介质层；利用原子层沉积技术，在所述介质层上生长有源层；对所述有源层进行刻蚀以形成沟道，所述沟道的底部露出所述介质层；形成源漏电极，所述源漏电极覆盖所述...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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