通过测量键合速度自动检测晶片表面质量的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种装置，该装置通过测量两个晶片（１１和１２）的待检测的表面键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合瞬间的自动装置。本发明专利技术还涉及相关的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

总的来说本专利技术涉及材料加工，尤其涉及用于电子学、光学或光电子学的基片。更准确地说本专利技术涉及表征材料的两个晶片之间的键合速度的装置。本专利技术还涉及使用所述装置的方法。
技术介绍
上述类型的装置是已知的。特别地，当至少一个晶片由半导体材料例如硅形成时，材料的两个晶片之间的键合速度可以用已知方式表征。这样的晶片通常具有圆盘状外形，且通常具有几百微米量级的厚度。这种晶片可以彼此键合以构成多层结构，两个键合的晶片可能是不同的材料。而且，关于这种晶片质量的具体要求是极度严格的，尤其是关于用来构成上述类型基片的晶片的具体要求。当晶片键合到一起时，所述表面质量的具体要求更为严格，尤其是关于晶片的表面粗糙度和在该表面上没有杂质。那么非常清楚，使用高性能的装置表征所述表面质量是尤其重要的。用于表征两个晶片(可能至少一个晶片由半导体材料例如硅形成，且两个晶片具有相同的圆盘状外形)表面质量的一个已知方法是由以下操作构成●把所述晶片的各自表面接触以构成具有通常的圆盘形状的叠层，且该叠层具有面靠面放置的两个晶片； ●在所述叠层上任一点挤压由两个晶片形成的叠层；●测量随着所述挤压在两个晶片之间建立本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检测晶片表面质量的装置，其应用两个晶片（１１，１２）之间限定的键合界面（１３）的键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于所述的装置包括用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合波通过的自动装置。

【技术特征摘要】
FR 2002-4-30 02054271.一种用于检测晶片表面质量的装置，其应用两个晶片(11，12)之间限定的键合界面(13)的键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于所述的装置包括用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合波通过的自动装置。2.根据前述权利要求的装置，其特征在于用于探测键合波通过的自动装置包括电磁辐射源(30)和传感器(40)，所述的传感器至少可以探测由源(30)发射的电磁辐射波谱的一部分，传感器(40)可以以这种方式设置从键合界面的预定测量位置(X)收集辐射。3.根据前述权利要求的装置，其特征在于所述的装置包括处理单元，用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合波通过的自动装置连接到所述的处理单元。4.根据前述权利要求的装置，其特征在于所述的处理单元可以计算键合界面的每个测量位置的瞬间键合速度。5.根据前述权利要求的装置，其特征在于传感器(40)可以探测电磁波特征的变化，它至少在一个测量位置从源(30)接受所述的电磁波。6.根据前述权利要求的装置，其特征在于所述的电磁波特征的变化是一个反差的变化。7.根据五个前述权利要求中的任一个的装置，其特征在于用于探测键合波通过的自动装置还包括穿过支座并使从源的辐射穿过的开口与至少一个测量位置相关，以在测量位置开口穿过晶片，以便来自源并穿过晶片的部分辐射到达传感器。8.根据前述权利要求的装置，其特征在于探测装置至少包括一个由电磁源(30)、开口(21)和电磁传感器(40)构成的探测组件(50)，其中源(30)和传感器(40)对准开口(21)的任一边。9.根据七个前述权利要求中任一个的装置，其特征在于用于探测键合波通过的自动装置还包括指向测量位置并由晶片反射到相关的传感器的电磁辐射源与至少一个测量位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：C马勒维尔，F梅特特尔，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]