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本发明涉及一种装置，该装置通过测量两个晶片（１１和１２）的待检测的表面键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合瞬间的自动装置。本发明还涉及相关的方法。...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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