电光学装置和电子设备制造方法及图纸

一种电光学装置，其特征在于，具备： 设置于基板上的像素电极； 对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管； 配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线； 配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及 包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线； 其中，所述像素电位侧电容电极由导电性的第１透明膜构成； 所述电容线由导电性的第１遮光膜构成； 所述数据线由导电性的第２遮光膜构成； 所述像素电极由导电性的第２透明膜构成； 在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第２遮光膜构成的第１层和层积于该第１层的上层一侧并且与所述第２遮光膜相比对所述第２透明膜的化学稳定性高的导电性的第２层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有源矩阵驱动方式的液晶装置等的电光学装置和具备该电光学装置构成的电子设备的
，特别涉及在基板上的层积结构中具备像素开关用的薄膜晶体管(以下适当称为TFT)的形式的电光学装置的另一方面，在这种电光学装置中，以下技术十分普遍例如在各像素中制作由连接到TFT的漏极电极或像素电极的像素电位侧电容电极、以及通过电介质膜与其相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容，使得在TFT为导通状态时，使通过它施加在像素电极上的图像信号的电压保持时间远大于TFT成为导通状态的时间。但是，如果在基板上的层积结构内作入存储电容，一般需要通过在该层积结构内开孔的接触孔来连接其像素电位侧电容电极和像素电极、TFT等。因此，由于使通过该接触孔连接的TFT和像素电极间的遮光膜或数据线避开接触孔来形成，所以产生在接触孔及其周边遮光性能下降的问题。即，入射到接触孔及其周边的入射光，到达TFT的沟道区域、其周边区域等而未被遮光膜或数据线等遮光，使TFT的特性变化或劣化，存在成为闪烁等原因的问题。为了解决上述课题，本专利技术的电光学装置包括设置于基板上的像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线。所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；所述像素电极由导电性的第2透明膜构成。而且，在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。根据本专利技术的电光学装置，例如如果通过扫描线将扫描信号供给薄膜晶体管的栅极，同时通过数据线将图像信号供给薄膜晶体管，则通过薄膜晶体管的开关控制，可以对像素电极进行有源矩阵驱动。这里，在像素电极上，连接有将像素电位侧电容电极和固定电位侧电容电极相对配置形成的存储电容，所以可以长时间保持写入到像素电极的图像信号。相对于像素电位侧电容电极和像素电极分别由透明膜构成，电容线和数据线分别由遮光膜构成，由于这些遮光膜的存在，基本上可以防止各像素的非开口区域中的漏光。但是，在用于将像素电位侧电容电极和像素电极间相互连接的连接区域中，在由遮光膜构成的电容线中设置有切口部。因此，由于将该连接区域原封不动放置，所以在那里产生漏光，光很可能入射到薄膜晶体管的沟道区域、其相邻区域等。因此，在本专利技术中，在该连接区域中，还具备将像素电位侧电容电极和像素电极间中继连接、同时包含两片遮光膜的多层中继层，该多层中继层覆盖切口部，所以可以高效率地防止连接区域中的漏光。因此，可以有效地预先防止因薄膜晶体管的特性变化而引起闪烁的情况。多层中继层，例如是从平面观察为覆盖矩形的连接区域的矩形岛状的遮光膜片，其第1层被从数据线分离。而且，多层中继层具有层积结构，包含由与数据线相同的第2遮光膜构成的第1层；以及与该第2遮光膜相比，对形成像素电极的第2透明膜的化学稳定性强的导电性的第2层。例如，作为第2遮光膜，由电阻低的Al膜形成数据线，作为第2透明膜，由ITO膜形成像素电极的情况那样，即使是将第2遮光膜和第2透明膜直接接触，选择缺乏化学稳定性、可引起电蚀的材料情况，如果将多层中继层的第2层例如由氮化钛等的Ti(钛)、W(钨)系等、对第2透明膜有优良的化学稳定性的材料形成，则也可以有效地防止这样的电蚀。此外，构成多层中继层的第1层由与数据线相同的第2遮光膜构成，所以可以用相同工序通过从相同膜、即第2遮光膜图案形成(パタ一ニング)来同时形成第1层和数据线两者。这样，可以避免基板上的层积结构和制造过程的复杂化。再有，本专利技术的“第1遮光膜”和“第2遮光膜”意味着如果可将该电光学装置中的入射光遮光至对薄膜晶体管没有的实际危害的程度就足够了，与遮光的光量相比，意味着包含透过很少或极少的光的遮光膜。相反，本专利技术的“第1透明膜”和“第2透明膜”意味着如果可将该电光学装置中的入射光透过至可以用于显示的程度就足够，与透过的光量相比，意味着包含很少或极少的光被遮光的透明膜或半透明膜。以上的结果，根据本专利技术的电光学装置，通过比较简单的结构，可以高效率地提高抗光性，可以进行高质量的图像显示。在本专利技术的电光学装置的一方式中，所述多层中继层平面地观察大于所述切口部。根据该方式，通过比切口部大的多层中继层，可以更可靠地防止该切口部附近、即连接区域中的漏光。特别是从平面观察，如果形成多层中继层使得对于切口部的轮廓在全方位上具有大的、即大一圈的轮廓，则可以更可靠地防止漏光。而且，即使存在倾斜的入射光的情况下，通过比切口部大的多层中继层，可以靠地进行遮光。此时，对于将多层中继层形成多大的程度而言，以使各像素的开口区域不非常窄作为条件，考虑倾斜的入射光的角度、光强度或各层的图案形成精度等，分别具体地确定，使得可遮光倾斜的入射光就可以。在本专利技术的电光学装置的另一方式中，所述数据线具有与所述多层中继层相同的层积结构。根据该方式，数据线与多层中继层相同，有包含第1层和第2层的层积结构。因此，在其制造时，可以用相同工序同时形成数据线和多层中继层两者。即，如果在对包含第1层和第2层的多层膜进行成膜后，进行图案形成，则可通过1次图案形成，同时形成数据线和多层中继层。因此，可以避免基板上的层积结构和制造过程的复杂化。在本专利技术的电光学装置的另一方式中，在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜。而且，所述薄膜晶体管和所述像素电位侧电容电极，通过在所述第1层间绝缘膜中开孔的第1接触孔被连接；所述像素电位侧电容电极和所述多层中继层，通过在所述第2层间绝缘膜中开孔的第2接触孔被连接；所述多层中继层和所述像素电极，通过所述第3层间绝缘膜中开孔的第3接触孔被连接。根据该方式，像素电位侧电容电极和像素电极，经由第2及第3接触孔，通过配置在第2和第3层间绝缘膜间的多层中继层来进行中继连接。此时，在第1遮光膜的切口部中配置有第2接触孔，所以第1遮光膜的遮光功能在该部分下降，但该部分的遮光性能可通过覆盖切口部的多层中继层得到充分补充。在该方式中，优选地构成为所述第3接触孔被开孔使得延伸到所述第2接触孔内；在所述第2接触孔内，直接层积第1透明膜、所述多层中继层和所述第2透明膜。根据这样的结构，在比较小的连接区域中，也可使用多层中继层，可靠地将像素电位侧电容电极和像素电极进行中继连接。在该情况下，优选地构成为将所述第2接触孔和所述第3接触孔同轴地开孔。根据这样的结构，通过同轴开孔的第2和第3接触孔，由多层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光学装置，其特征在于，具备设置于基板上的像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线；其中，所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；所述像素电极由导电性的第2透明膜构成；在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述多层中继层，平面地看大于所述切口部。3.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述数据线具有与所述多层中继层相同的层积结构。4.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜；所述薄膜晶体管和所述像素电位侧电容电极，通过在所述第1层间绝缘膜中开孔的第1接触孔被连接；所述像素电位侧电容电极和所述多层中继层，通过在所述第2层间绝缘膜中开孔的第2接触孔被连接；所述多层中继层和所述像素电极，通过所述第3层间绝缘膜中开孔的第3接触孔被连接。5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于，所述第3接触孔被开孔使得延伸到所述第2接触孔内；在所述第2接触孔内，直接层积第1透明膜、所述多层中继层和所述第2透明膜。6.根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，所述第2接触孔和所述第3接触孔被同轴地开孔。7.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述第2透明膜由ITO构成；所述第1层由Al构成；所述第2层由包含高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化物构成。8.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述第2层的光密度值是2.0或以上。9.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，还具备与所述基板相对的对置基板；以及被夹置在所述基板和所述对置基板间的电光学物质层。10.一种电光学装置，其特征在于，具备设置于基板上的像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及包含在该像素电位...

【专利技术属性】
技术研发人员：河田英德，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：