【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子学领域的低功耗集成电路设计，是一种新型的相关双取样电路。
技术介绍
探测微弱信号的一个关键技术是对噪声的抑制以提高输出信号的信噪比。像素读出电路的设计是CMOS图像传感器设计的关键组成部分，尽量在读出电路部分抑制或消弱噪声，可以降低设计后续图像处理电路的要求。CMOS读出电路主要由MOS晶体管和MOS电容构成，因此读出电路的噪声是电子器件固有的噪声和电路结构引入的附加噪声组成，其中电路结构引入的附加噪声可以设计合理的电路抑制或消弱。固定图形噪声是CMOS图像传感器的主要噪声之一，由于材料的不均匀性和制造工艺的涨落等多种原因，引起MOS晶体管几何尺寸的偏差和阈值电压的偏差，使像素读出电路中的器件失配，即使每一个像素输出相同的信号，其输出信号的大小也不一样，从而在读出电路中引入固定平面噪声噪声。在读出电路中，相关双取样方法是一种能成功的抑制固定平面噪声的技术。低功耗集成电路的设计是电池供电的手持式便携系统的基本要求，系统芯片的高功耗将导致电池寿命大大下降。CMOS图像传感器已广泛应用于便携式的数码照相机、电脑眼等方面，读出、处理电路要求低功耗设...
【技术保护点】
一种低功耗相关双取样电路结构，其特征在于，其中包括：两个取样开关用Ｐ型ＭＯＳ管，该Ｐ型ＭＯＳ管来提高信号摆幅降低功耗；该两开关用Ｐ型ＭＯＳ管的源极接信号输入端，该一开关用Ｐ型ＭＯＳ管的栅极接置位开关信号，另一开关用Ｐ型ＭＯＳ管的栅极接取 样开关信号；两个电容用Ｎ型ＭＯＳ管，其漏极和源极均接地，栅极分别接另两开关用Ｐ型ＭＯＳ管的漏极；一个复位开关用Ｎ型ＭＯＳ管，其栅极接复位信号，漏极接一开关用Ｐ型ＭＯＳ管的漏极，源极接另一开关用Ｐ型ＭＯＳ管的漏极；一个差分放大对管 由两个Ｎ型ＭＯＳ管构成简单差分处理电路，其栅极分别接另两开关用Ｐ型ＭＯＳ管的漏极，一...
【技术特征摘要】
1.一种低功耗相关双取样电路结构，其特征在于，其中包括两个取样开关用P型MOS管，该P型MOS管来提高信号摆幅降低功耗；该两开关用P型MOS管的源极接信号输入端，该一开关用P型MOS管的栅极接置位开关信号，另一开关用P型MOS管的栅极接取样开关信号；两个电容用N型MOS管，其漏极和源极均接地，栅极分别接另两开关用P型MOS管的漏极；一个复位开关用N型MOS管，其栅极接复位信号，漏极接一开关用P型MOS管的漏极，源极接另一开关用P型MOS管的漏极；一个差分放大对管由两个N型MOS管构成简单差分处理电路，其栅极分别接另两开关用P型MOS管的漏极，一N型MOS管构的源极接输出信号端，漏极接电源电压端，另一N型MOS管的源极接等效电流源，漏极接输出信号端；当像素置位和复位读取信号时，两次取样信号分别储存在两个电容用N型MOS管内，利用电容上信号不能突变的原理，通过差分放大对管完成...
【专利技术属性】
技术研发人员：金湘亮，陈杰，仇玉林，
申请(专利权)人：中国科学院微电子中心，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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