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低功耗相关双取样电路结构制造技术
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下载低功耗相关双取样电路结构的技术资料
文档序号:3210310
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本发明一种低功耗相关双取样电路结构,包括:两个取样开关用P型MOS管,其源极接信号输入端,该一开关管的栅极接置位开关信号,另一开关管的栅极接取样开关信号;两个电容用N型MOS管,其栅极分别接另两开关用管的漏极;一个复位开关用N型MOS管,其...
该专利属于中国科学院微电子中心所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子中心授权不得商用。
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