发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括：　　　　电极端、一ＬＥＤ芯片、一具有将从所述ＬＥＤ芯片发出的光反射到一开口的一反射罩的反射体、填充到反射罩中的封装树脂、和混合到所述封装树脂中的波长转换材料，所述波长转换材料吸收从所述ＬＥＤ芯片发出的光，并发出具有比吸收光波长更长的波长的光，其特征在于，　　　　所述ＬＥＤ芯片连接到反射罩内的电极端，此外，在所述ＬＥＤ芯片的顶面上设置有一导电反射元件，其用于反射从一连接面发出的光，且在基本整个表面上不透光，混合到所述封装树脂中的波长转换材料的密度在所述ＬＥＤ芯片的连接面下面比在其上面更大；和／或在具有反射罩的反射体的内部表面上形成一波长转换材料层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种波长转换LED，例如发白色光的二极管，在该发白色光的二极管中，蓝色光从pn结接合面发出，并入射到一荧光体上以提取出黄色光，通过将蓝色光和黄色光混合从而发出白色光，或可选地，紫外线光从pn结接合面发出，并入射到荧光体上从而提取出诸如白色光等中间色的光。
技术介绍
图6显示了作为现有技术中公知的波长转换LED的一个示例的白色LED。在图6中，白色LED 1包括具有形成向上开口的反射罩2a的白色反射体2、放置在反射体2的反射罩2a中心附近的LED芯片3、以及填充到反射罩2a中的包含有波长转换材料4a的封装树脂4。反射体2具有电极端2b、2c，它们通过夹物模压(insert molding)或其他等效的方法结合成一体。形成LED芯片3，使得其通过结合InGaN(p型)和SiC(n型)构成一蓝色LED芯片，且构成其发光层的pn连接面(junctionsurface)3a位于上边界附近的扩展区域上。在LED芯片3中，其n端被电连接至暴露在反射体2的反射罩2a底部的电极端2b，同时使用例如导电粘合剂固定；而其p端表面上的电极3b通过金属线3c等连接到暴露在反射罩2a底部的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括电极端、一LED芯片、一具有将从所述LED芯片发出的光反射到一开口的一反射罩的反射体、填充到反射罩中的封装树脂、和混合到所述封装树脂中的波长转换材料，所述波长转换材料吸收从所述LED芯片发出的光，并发出具有比吸收光波长更长的波长的光，其特征在于，所述LED芯片连接到反射罩内的电极端，此外，在所述LED芯片的顶面上设置有一导电反射元件，其用于反射从一连接面发出的光，且在基本整个表面上不透光，混合到所述封装树脂中的波长转换材料的密度在所述LED芯片的连接面下面比在其上面更大；和/或在具有反射罩的反射体的内部表面上形成一波长转换材料层。2.如权利要求1的发光二极管，进一步的特征在于，形成所述LED芯片的连接面的主要表面侧，使得它具有比其次要表面侧更大的面积，并且所述芯片的侧表面是倾斜的。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：中田幸之助，青木大，大场勇人，键和田真孝，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：