半导体单晶片保护构件与半导体单晶片的磨削方法技术

使用至少由具有吸引区域（１）和框体（２）的吸盘（１７）和磨削保持于吸盘（１７）上的半导体单晶片（Ｗ）的磨削单元（３０）构成的磨削装置磨削外径（Ｄ１）比吸引区域（１）小的半导体单晶片的情况下，将外径（Ｄ３）比半导体单晶片（Ｗ）的外径（Ｄ１）大且也比吸引区域（１）的外径（Ｄ２）大的半导体单晶片保护构件（３）贴附于半导体单晶片（Ｗ）的非磨削面上，将半导体单晶片保护构件（３）朝下地在吸引区域（１）保持半导体单晶体（Ｗ）的整个面，以磨削单元（３０）磨削所保持的半导体单晶片（Ｗ）的露出面，可防止在半导体单晶体（Ｗ）的外周部分产生裂纹、缺口、断裂等。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在磨削半导体单晶片时为了面保护所贴附的保护构件与使用了该保护构件的半导体单晶片的磨削方法。
技术介绍
如图4所示，由分隔带S划分形成多个集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)等电路的半导体单晶片W1，在其背面被磨削加工到规定的厚度之后，通过沿着分隔带S进行纵横切削而每个电路被分割成一个个半导体芯片。另外，如图5所示，在半导体单晶片W2的分隔带S上预先形成相当于半导体芯片的最终厚度的切削沟60，通过对其背面磨削而使切削沟60露出而分割出一个个半导体芯片C的先切块技术，由这种技术同样也可使每个电路形成半导体芯片C。如图6所示，在上述任何一种情况下都是，在磨削半导体单晶片的背面时，在表面贴附着具有与半导体单晶片W1(W2)相同外径的电路保护用的保护带T，将该保护带T朝下吸附于吸盘70上。而后，使磨削砂轮73一边转动一边下降、接触于半导体单晶片W1(W2)的背面，磨削该背面，形成所希望的厚度。特别是近些年来，由于相应于手机、笔记本电脑等各种电子机器小型化、薄型化的要求，要求半导体单晶片的厚度形成为薄到100μm以下、进而在50μm以下。图6中的吸盘70由与吸引源连通来吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体单晶片保护构件，它是用于在由吸引半导体单晶片的吸引区域和围绕该吸引区域的框体构成的吸盘的该吸引区域里吸引保持外径比该吸引区域小的半导体单晶片的半导体单晶片保护构件，其特征在于，该半导体单晶片保护构件的外径形成得比该半导体单晶片的外径大、且也比该吸引区域的外径大。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-11 004669/021.一种半导体单晶片保护构件，它是用于在由吸引半导体单晶片的吸引区域和围绕该吸引区域的框体构成的吸盘的该吸引区域里吸引保持外径比该吸引区域小的半导体单晶片的半导体单晶片保护构件，其特征在于，该半导体单晶片保护构件的外径形成得比该半导体单晶片的外径大、且也比该吸引区域的外径大。2.如权利要求1所述的半导体单晶片保护构件，其特征在于，构成吸盘的吸引区域的外径比在该吸引区域被吸引保持的半导体单晶片的外径大0.5mm以上；半导体单晶片保护构件的外径比该吸引区域的外径大0.5mm以上。3.如权利要求1所述的半导体单晶片保护构件，其特征在于，该保护构件由表面具有粘附层的合成树脂形成。4.如权利要求3所述的半导体单晶片保护构件，其特征在于，上述粘附层是由紫外线照射后粘附力降低的UV硬化型粘附层。5.如权利要求3或4所述的半导体单晶片保护构件，其特征在于，上述合成树脂为聚对苯二甲酸乙二醇酯。6.一种半导体单晶片的磨削方法，它是一种使用至少由吸盘和磨削单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢岛兴一，木村祐辅，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]