【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用磁阻元件诸如巨磁阻(GMR)元件的磁感应器。本专利技术还涉及用于制作磁感应器的制作方法。
技术介绍
通常,使用磁阻元件诸如巨磁阻(GMR)元件的不同类型磁感应器已经逐渐得到发展并应用在实际中。GMR元件的典型例子包括磁化强度钉扎在规定方向的被钉扎(pinned)层,以及磁化方向根据外部磁场而变化的自由层。即,当施加外部磁场时,GMR元件响应于被钉扎层和自由层之间磁化方向的相对关系而呈现阻抗;因此,通过测量GMR元件的阻抗就可以检测外部磁场。为了以高精确检测小的外部磁场,就需要上述磁感应器在无外部磁场作用于磁感应器的条件下,能够稳定保持其自由层每个磁化部分的磁化方向与规定方向(下文中,称作初始方向)的匹配。通常,薄膜自由层在平面图中是矩形构成,矩形长边(例如长轴或纵向)方向与上述初始方向相匹配,从而建立其中磁化方向与纵向方向匹配的形状各向异性。通过应用形状各向异性,自由层磁化部分的磁化方向被调整为与初始方向匹配的方向。为了当外部磁场消失后,也可以长时间将自由层磁化部分的磁化方向稳定恢复和维持在初始方向上,与永久磁铁相对应的偏磁膜都被设置在沿纵向方向的自由层两端,以便初始方向上的规定磁场可以通过偏磁膜而施加到自由层。在AMR类型的磁阻效应元件(即磁阻元件)中,必须施加偏磁场以增加敏感度。例如,为了将偏磁场均匀施加到四个磁阻元件,这些磁阻元件就要相对于衬底倾斜成45°的规定角度。磁阻元件相对于衬底倾斜的磁感应器的实例公开于日本专利申请公开号Hei5-126577中(见第 段及图5(a))。当具有相对大的并且小于偏磁膜的抗磁力的磁力,并且其 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁感应器,包括衬底(2);在该衬底上形成的至少一个磁阻元件(31);以及连接所述磁阻元件两端的至少一对永久磁铁膜(32),以便根据所述磁阻元件的磁阻效应可以检测到外部磁场的强度,其中所述磁阻元件的被钉扎层(PD)的磁化方向与所述磁阻元件的纵向方向成45°的规定角。2.一种磁感应器,包括衬底(2);在该衬底上形成的至少一个磁阻元件(31);以及连接所述磁阻元件两端的至少一对永久磁铁膜(32),以便根据所述磁阻元件的磁阻效应可以检测到外部磁场的强度,其中所述磁阻元件的被钉扎层(PD)的磁化方向与磁化所述永久磁铁膜的方向成45°的规定角。3.如权利要求1所述的磁感应器,其中在磁阻元件有序加热处理中由钉扎层(PN)钉扎的被钉扎层的磁化方向与磁化后的永久磁铁膜的磁化方向基本相同。4.如权利要求2所述的磁感应器,其中在磁阻元件的有序加热处理中由钉扎层(PN)钉扎的被钉扎层的磁化方向与磁化后的永久磁铁膜磁化方向基本相同。5.如权利要求1或3所述的磁感应器,其中磁化后的永久磁铁膜的磁化方向与该磁阻元件的自由层(F)的纵向方向基本相同。6.如权利要求2或4所述的磁感应器,其中磁化后的永久磁铁膜的磁化方向与该磁阻元件的自由层(F)的纵向方向基本相同。7.一种磁感应器,包括具有近似正方形形状的石英衬底(2);第一X轴GMR元件(11,12),它设置在垂直于X轴的石英衬底的第一边的附近,并相对该第一边倾斜成规定角度;第二X轴GMR元件(13,14),它设置在与该第一边相对并且垂直于X轴的石英衬底的第二边附近,并相对该第二边倾斜成规定角度;第一Y轴GMR元件(21,22),它设置在垂直于Y轴的石英衬底的第三边附近,并与该第三边成规定角度;第二Y轴GMR元件(23,24),它设置在与该第三边相对并且垂直于Y轴的石英衬底的第四边附近,并与该第四边成规定角度;第一对永久磁铁膜(32),连接到该第一X轴GMR元件的两端,并与该石英衬底的第一边平行纵向排列;第二对永久磁铁膜(32),连接到该第二X轴GMR元件的两端,并与该石英衬底的第二边平行纵向排列;第三对永久磁铁膜(32),连接到该第一Y轴GMR元件的两端,并与该石英衬底的第三边平行纵向排列;以及第四对永久磁铁膜(32),连接到该第二Y轴GMR元件的两端,并与该石英衬底的第四边平行纵向排列。8.如权利要求7所述的磁感应器,其中将该规定角度设置为45°。9.一种磁感应器,包括具有近似正方形形状的石英衬底(2);第一X轴GMR元件(51,52),设置在接近和平行于与X轴垂直的石英衬底的第一边;第二X轴GMR元件(53,54),设置在接近和平行于与该第一边相对且与X轴垂直的石英衬底的第二边;第一Y轴GMR元件(61,62),设置在接近和平行于与Y轴垂直的石英衬底的第三边;第二Y轴GMR元件(23,24),设置在接近和平行于与该第三边相对且与Y轴垂直的石英衬底的第四边;第一对永久磁铁膜(32),连接该第一X轴GMR元件的两端并与该石英衬底的第一边平行纵向排列;第二对永久磁铁膜(32),连接该第二X轴GMR元件的两端并与该石英衬底的第二边平行纵向排列;第三对永久磁铁膜(32),连接该第一Y轴GMR元件的两端并与该石英衬底的第三边平行纵向排列;以及第四对永久磁铁膜(32),连接该第二Y轴GMR元件的两端并与该石英衬底的第四边平行纵向排...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤秀树,相曾功吉,涌井幸夫,
申请(专利权)人:雅马哈株式会社,
类型:发明
国别省市:
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