【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关用于耦接至以高电位运作的外部元件的缩小驱动元件，尤指一薄氧化层输出驱动器，其包括氧化层于高电位不易崩溃的缩小P通道元件，以及不易产生热载子注入效应(hot carrier injection effect)的缩小N通道元件。
技术介绍
本申请案主张以下美国申请案的优先权申请号10/317,240，申请日为2002年12月11日。随着集成电路设计和制程技术多年来的发展，工作电压有随着元件尺寸往下调整的趋势。超大规模集成电路(VLSI)，特别是微处理器，在尺寸与电压的缩小(scaling)上一向居于领先。因此，运作于低电压的VLSI元件必需通过一接口耦接至外部元件，如输出输入(I/O)元件之类，而此种元件的缩小程度并不如VLSI元件那么大。但是，外部元件的驱动电压远高于VLSI元件的核心电压，因此许多现有的缩小VLSI元件提供电压转换电路，以增加I/O信号电压振幅，使其可顺利地耦接至高电压的外部元件。近几年来，VLSI元件的尺寸与工作电压都往下降，以致于在某些情况下，对于作为耦接至高电压外部元件的接口的缩小P通道元件而言，若同样的高电位用来驱动其输入...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种缩小输出驱动器，其特征在于包括一第一缩小P通道元件，具有一漏极和一源极，耦接于一第一节点和一具有一高电位的高电压源之间，该第一缩小P通道元件具有一栅极，可接收一拉高信号，当此拉高信号被拉向该高电位时，会使该第一缩小P通道元件关闭；一第二缩小P通道元件，具有一漏极和一源极，耦接于该第一节点和一输出节点之间，并具有一栅极耦接至一静态电压源，其中该静态电压源具有一电位，可于该第一缩小P通道元件被关闭时，防止该第一缩小P通道元件的栅极氧化层崩溃；以及一N通道元件，耦接于该输出节点和一参考电压源之间。2.如权利要求1所述的缩小输出驱动器，其特征在于，当该第一缩小p通道元件被关闭时，该第二缩小p通道元件为导通，且当该第一节点接近一保护电位时，该第二缩小p通道元件开始关闭。3.如权利要求2所述的缩小输出驱动器，其特征在于，该第二缩小p通道元件有一临界电位，且该保护电位为该临界电位加上该静态电压源电位之和。4.如权利要求2所述的缩小输出驱动器，其特征在于，当该输出节点下降至该参考电压源时，该第二缩小p通道元件开始关闭。5.如权利要求1所述的缩小输出驱动器，其特征在于，该拉高信号为操作于该高电位和一中间电位间的一电压转换范围，该中间电位介于该高电位和该参考电压源之间。6.如权利要求1所述的缩小输出驱动器，其特征在于，该N通道元件包括一第一缩小N通道元件，具有一栅极，且具有一漏极和一源极，耦接于一第二节点和该参考电压源之间；以及一第二缩小N通道元件，具有一栅极，且具有一漏极和一源极，耦接于该输出节点和该第二节点之间；该第一和第二缩小N通道元件的该栅极分别接收第一与第二拉低信号。7.如权利要求6所述的缩小输出驱动器，其特征在于，在该输出节点的暂态切换期间，该第一和第二缩小N通道元件合力作为一电阻分压器，以防止热载子效应。8.如权利要求6所述的缩小输出驱动器，其特征在于，该第一拉低信号为操作于一较低电压源和该参考电压源间的一较低电压范围，并且该第二拉低信号为操作于该较低电压源和一中间电位间的一限制电压范围，其中该中间电位介于该较低电压源和该参考电压源之间。9.一种输出驱动电路，其特征在于包括串接的第一和第二缩小P通道元件，耦接于一第一节点，且耦接于一第一电压源和一输出端之间，该第一电压源具有一高电位；以及串接的第一和第二缩小N通道元件，耦接于该输出端和一参考电压源之间；该第一缩小P通道元件具有一栅极以接收一拉高信号，而该第二缩小P通道元件则具有一栅极耦接至一静态电压，该第一和第二缩小N通道元件各具有栅极，以分别接收第一和第二拉低信号。10.如权利要求9所述的输出驱动电路，其特征在于还包括一电压转换电路，接收一操作于一较低电压范围的第一拉高信号，并提供一对应的第二拉高信号至该第一缩小P通道元件的该栅...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。