【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率晶体管及使用它的半导体集成电路。具体地说，本专利技术涉及一种功率晶体管，还有使用它的半导体集成电路，在该功率晶体管中配置有多个垂直式PNP晶体管。在传统上，已经制作了一种功率晶体管，在这种晶体管中，在半导体基底上配置着多个垂直式PNP晶体管(例如，见Japan Patent Laid-OpenPublication HEI 7-183311)。图3示出常规功率晶体管的图形平面图，而图4示出沿图3直线IV-IV所取的截面图。在这个功率晶体管中，在p型硅基底101上形成有用于把硅基底101与各垂直式PNP晶体管集电极彼此隔离开来的N+型隐埋层102；形成在N+型隐埋层102上的、且用作每个垂直式PNP晶体管集电极的P+型集电极隐埋层103；把功率晶体管与它周围器件彼此隔离开来的、围绕在N+型隐埋层102周围形成的P+型隐埋隔离层113；用N型外延生长法，形成在整个P型硅基底101表面上的N型外延层104，作为每个垂直式PNP晶体管基极区以改进晶体管特性形成的N+型基极凹层105；形成在P+型集电极隐埋层103上的p+型集电极层106；形成在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率晶体管，其特征在于，包括形成在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管，其中为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管彼此隔开来而形成的N+型隐埋层的单个或多个电极部分制作在功率晶体管的有源区中。2.如权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述至少部分电极部分制作于在功率晶体管有源区上布线的、共同的发射极金属线的下面。3.如权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述该电极部分制作在N+型隐埋层上，并由用于形成欧姆接触的N+型电极层和N+型扩散层形成。4.如权利要求3所述的功率晶体管，其特征在于，所述N+型扩散层与作为多个垂直式PNP晶...
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