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一种功率晶体管，其特征在于，包括形成在Ｐ型硅基底上的多个垂直式ＰＮＰ晶体管，其中　　　　为把Ｐ型硅基底与多个垂直式ＰＮＰ晶体管彼此隔开来而形成的Ｎ↑［＋］型隐埋层的单个或多个电极部分制作在功率晶体管的有源区中。...
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