【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种消除半导体象限光电探测器光电串扰的方法，用于半导体无串扰象限光电探测器的制造。
技术介绍
半导体象限光电探测器，包括四象限、六象限、八象限(双四象限)、线列、阵列等各种光电探测器，由于存在着象限间，象元间的光电串扰，因而降低了象限光电探测器的探测灵敏度，制导、跟踪精度和可靠性等性能。象限光电探测器的光电串扰，就是象限光电探测器在受光照射时，光生载流子，即光激发而产生的电子一空穴对，在电场作用下，于其产生区和渡越区的一定范围内作无序运动，进入邻近光敏元所产生的不良效应。为降低象限光电探测器光电串扰的不良影响，研究工作者们采取了以下一些办法(1)增大象限光电探测器光敏元之间的间隔，即增大盲区；(2)制作光隔离层；(3)减薄光生载流子产生区和渡越区的厚度。但是以上所提及的办法对降低光电串扰的作用是有限的，有的甚至是非常不利的。这是因为首先对小光斑的情况，增大盲区是不可行的；其次，由于光生载流于是在芯片内部的耗尽层中产生光电串扰，而在芯片表面层和可达到的深度内，制作隔离层是毫无作用的；再者，如减薄光生载流子产生区和渡越区的厚度，将会降低光电探测器光灵敏度和频率响应特性。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的降低象限光电探测器光电串扰方法的不足之处，提供一种新方法，用此方法制作象限光电探测器，可消除象限光电探测器的光电串扰，即实现无串扰象限光电探测器的制作。具体技术方案如下在半导体象限光电探测器的象限光敏元之间，设计、制作一与光敏元同结构、同极性、同工艺条件、同时制作的隔离二极管。二极管管芯片的形状根据象限探测器管芯芯片的形状而确定，它可以是...
【技术保护点】
本专利技术涉及一种消除半导体象限光电探测器光电串扰的方法，用于无串扰象限光电探测器的制作，其特征在于：在半导体象限光电探测器象限光敏元之间，设计、制作一独立的与光敏元同结构、同极性、同工艺条件、同时制作的隔离二极管，该隔离二极管与象元探测器有一公共电极，另有一独立电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.本发明涉及一种消除半导体象限光电探测器光电串扰的方法，用于无串扰象限光电探测器的制作，其特征在于在半导体象限光电探测器象限光敏元之间，设计、制作一独立的与光敏元同结构、同极性、同工艺条件、同时制作的隔离二极管，该隔离二极管与象元探测器有一公共电极，另有一独立电极。2.根据权利要求1所述的隔离二极管，其特征在于隔离二极管的管芯形状是环形形状。3....
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