【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电子信息领域的半导体硅光电探测器件的制作方法，用于在N型硅单晶衬底上制作大光敏面光电探测器。
技术介绍
大光敏面半导体硅光电探测器，即光敏面直径≥10mm的光电探测器，国外报道的常规制作方法是采用P型高阻无微缺陷硅单晶作衬底片，使用N型磷杂质，进行热扩散或离子注入形成P-N+结，再通过常规半导体器件制造工艺，制成探测器管芯，将管芯烧压在管座上，即将管芯正极与管座相连，负极通过压焊与管脚相连，最后将带光窗的管帽与管座封焊于一体。由于P型高阻硅单晶在高温下易变性而反型(即成N型)和表面形成沟道，从而使探测器暗电流增大，噪声增大，导致探测器灵敏度下降，性能不稳定，可靠性降低，对应用非常不利。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的使用P型高阻硅单晶片作衬底制作大光敏面光电探测器的不足之处，提供一种制作大光敏面硅光电探测器的新方法，用于大光敏面硅光电探测器的制作。其特征是采用电阻率≥5000Ω.cm晶向为(111)的N型高阻无微缺陷的硅单晶片作衬底，用P型硼杂质进行热扩散形成P+N结制作探测器管芯，金属化后的管芯烧压在两面都金属化的陶瓷片的一面上，陶瓷片另一面烧结于管座上，管芯正、负极使用压焊工艺与同管座电绝缘的管脚相连。采用的具体技术方案如下用N型高阻硅单晶材料作衬底片，在正面用硼掺杂进行热扩散制作P+N结形成光敏面，同时在光敏区周围制作一个环形的隔离二极管P+N结，生长Si3N4膜，既作掩蔽膜用又作增透膜之用。减薄衬底背面并抛光，再进行磷扩散制作N+N高低结。通过光刻、蒸发，形成探测器管芯。将管芯烧压在两面都金属化的Al2O3陶瓷片上，...
【技术保护点】
本专利技术公开了一种大光敏面硅光电探测器的制作方法，其特征在于：采用电阻率≥５０００Ω．ｃｍ晶向为（１１１）的Ｎ型高阻硅单晶片作衬底，用硼杂质进行热扩散形成两个Ｐ↑［＋］Ｎ结：探测器光敏面的Ｐ↑［＋］Ｎ结及光敏面周围隔离二极管的Ｐ↑［＋］Ｎ结以及磷扩散形成Ｎ↑［＋］Ｎ高低结制作探测器管芯，金属化后的管芯烧压在两面都金属化的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷片上，再将陶瓷片烧结于管座上，管芯的两个正电极和一个公用的负电极使用压焊工艺，与同管座绝缘的管脚相连，隔离二极管的正负电极在偏置后实现电学短路连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】本发明公开了一种大光敏面硅光电探测器的制作方法，其特征在于采用电阻率≥5000Ω.cm晶向为(11 1)的N型高阻硅单晶片作衬底，用硼杂质进行热扩散形成两个P+N结探测器光敏面的P+N结及光敏面周围隔离二极管的P+N结以及磷扩散...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱华海，唐诗才，
申请(专利权)人：重庆科业光电有限公司，
类型：发明
国别省市：85[中国|重庆]
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