发光二极管制造技术

一种半导体光发射二极管，其包括形成于基片（１００）的同一侧的，密置分开的ｎ和ｐ型电极，以形成一具有小具体结构（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）的ＬＥＤ。一种半透明Ｕ形ｐ型连接层（１０２）沿着其下的窗口层（１０１）的顶表面的３个边形成。ｐ型电极（１０３）形成于ｐ连接层上，且位于Ｕ形的闭合端的中心。一ｎ型连接层（１０５）形成于覆层（２０３）上，且位于ｐ型连接层（１０２）的Ｕ形开口端的中心。ｎ型电极（１０６）形成于ｎ型连接层（１０５）上。ｎ型和ｐ型电极间由位于电极间的凹槽（１０７）或绝缘体电绝缘实现电隔离。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

在基片同一侧有金属接点的光发射二极管。
技术介绍
虽然光发射二极管的结构和用于制造该结构的制造工艺近年来已经成熟，但在工业上仍然具有技术和经济上的挑战。由于基片和生长工艺上的高成本，所以每个器件的具体结构(footprint)保持尽可能的小，与目标光输出要求相一致是成功的关键。一个减小具体结构(footprint)的具体挑战存在于采用绝缘基片和金属连接的光发射二极管(LED)中，绝缘基片和金属的连接位于基片的同一侧。在这样的结构中，在金属连接间流过的电流趋向于集中在一小的，低阻抗的(通路)，优选的通路通过光发射的表面。因此，多数光发射表面没有被激活。迄今，该问题已由通过提出导电的，半透明的窗口连接层(contact layer)，和维持连接的物理上的侧面分离而得到表述。这样的分离严重限制能制造于任何给定尺寸的基片上的器件数量；因此成为制造商的经济上的负担。
技术实现思路
根据本专利技术一种光发射二极管，其包括一互补电极对(complementary pair)和隔离它们相应的金属接点的装置，以迫使流过接点之间的电流更完全地流过活性层。从优点来说，这些措施增加器件的光输出效率；且在任意给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光发射二极管结构，包括：一基片；在所述基片的同一侧面上横向分开的第一和第二电极；和形成于所述二极管结构中，使所述电极相互隔离的装置。

【技术特征摘要】
US 2000-12-22 09/748,8011.一种半导体光发射二极管结构，包括一基片；在所述基片的同一侧面上横向分开的第一和第二电极；和形成于所述二极管结构中，使所述电极相互隔离的装置。2.根据权利要求1所述的半导体光发射二极管结构，其中所述的隔离装置包括一位于所述电极间的沟槽。3.根据权利要求1所述的光发射二极管结构，其中所述隔离装置包括一位于所述电极间的绝缘体。4.一种半导体光发射二极管结构，包括一蓝宝石基片；一基于GaN的光发射结构；在所述基片的同一边侧面横向分开的第一和第二电极；和形成于所述二极管结构的，使所述电极间相互隔离的装置。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：H刘，X程，
申请(专利权)人：大连路明科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]