【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种形成穿透电极(penetration electrode)的方法以及其上粘附有穿透电极的基片。尤其涉及一种适合于当制造用于在电子装置以及光学装置等装置中布线使用的穿透电极，或者是当装置堆叠连接时用于布线层的穿透电极时的一种形成穿透电极的方法。本专利技术也涉及其上粘附有穿透电极的基片。
技术介绍
为了缩小电子装置和光学装置的尺寸，提高其性能，或为了将这些装置堆叠，有时用穿透电极将基片的正面和背面电连接。现有技术中，穿透电极的制造采用如图1A至图1C所示的方法。如图1A所示，由导电薄膜2形成的布线(wiring)和垫片(pad)配置在基片1的一个主表面A。该布线和垫片用于实现与其它基片或装置电连接。首先如图1B所示，微孔从基片1的另一主表面B径直延伸至导电薄膜2的下面。用于形成微孔3的方法的实施例包括以感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)为代表的深度反应离子蚀刻(DRIE)、采用氢氧化钾溶液或类似溶液的各向异性蚀刻以及激光处理。必要时，可以在主表面B和微孔3的孔壁表层涂一层绝缘层。之后如图1C所示，导电物质4从主表面B置入微孔3中，以便...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成穿透电极的方法，包括在基片上至少穿透电极形成位置的部分所对应的基片的第一表面上配置一层导电薄膜；在至少所述导电薄膜上形成一个保护元件；将所述保护元件与所述基片相联结；穿透所述基片形成一个微孔；以及在配置导电薄膜，形成所述保护元件并将其联结，并形成所述微孔之后，将所述导电物质置入所述微孔中，所述导电物质和导电薄膜形成一个穿过所述基片的导电通道，所述导电薄膜封住基片第一表面上的微孔的第一开口，且所述导电物质通过和第一表面相对的基片的第二表面上的微孔的第二开口置入所述微孔。2.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，所述导电物质由金属制成，且采用熔融金属置入法置入微孔中。3.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，所述导电物质由导电浆制成，且采用刷涂法置入微孔中。4.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，还包括在所述导电物质置入所述微孔中之后，从导电薄膜和基片上去除保护元件。5.如权利要求4所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，所述保护元件通过加热所述基片从导电薄膜和基片上去除。6.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，将所述导电物质置入所述微孔中的步骤包括对所述导电薄膜朝向所述微孔的第一开口的一侧施加第一压力，当对所述导电薄膜朝向所述微孔的第一开口的一侧施加第一压力时，所述保护元件在适当的位置支撑所述导电薄膜。7.如权利要求6所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，所述第一压力大于施加于所述导电薄膜朝向所述保护元件的一侧的第二压力。8.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，其特征在于，所述导电物质充满所述微孔。9.如权利要求1所述的形成穿透电极的方法，还包括...
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