布线图形埋入检查方法、半导体器件制造方法及检查装置制造方法及图纸

用简易的结构高速地评价高纵横比的微细的布线图形沟槽中的金属的埋入状态。参照晶片（Ｗ）的金属膜（ＭＦ）的成膜时的目标厚度设定提供给涡流损失传感器（１１）的高频电流的频率（步骤Ｓ１），用涡流损失传感器（１１）以横穿形成了布线图形沟槽（Ｇｒ）的区域（Ｂ）的方式对晶片（Ｗ）上表面进行扫描，测量金属膜（ＭＦ）中的与晶片（Ｗ）的表面相同的面的上方部分的膜厚（步骤Ｓ２），从测量结果计算出涡流损失传感器（１１）的扫描区域的膜厚差的最大值（步骤Ｓ３）。参照预先作为数据库（Ｄ２）而准备的最大膜厚差与布线图形沟槽中的埋入率的关系，从计算出的最大膜厚差计算出布线图形沟槽（Ｇｒ）内的金属的埋入率（步骤Ｓ４）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成在处理基板表面的布线图形沟槽中的金属的埋入状态的检查方法、利用该方法的半导体器件的制造方法、以及检查装置，特别针对LSI(大规模集成电路)、超LSI的半导体制造工序的金属布线工序的布线图形沟槽中的金属的埋入状态的检查。
技术介绍
以往，在检查布线图形沟槽中的金属的埋入状态的工序中，由于实际布线图形微细、非接触式的金属膜厚测量困难等原因而不能直接测量实际布线图形。因此采用将测量用图形作入晶片上、通过测量该测量用图形来间接地进行检查的方法。这种间接的检查方法的具体例子有用四探针法测量测量用图形的薄膜电阻的接触法(例如专利文献1)；利用光学显微镜观察测量用图形，并以此来管理膜厚的方法(例如专利文献2)；用四探针法或涡流法测量薄膜电阻的变化，并以此来检查通孔中的埋入状态的方法(例如专利文献3)等。专利文献1所公开的方法由于是接触法，因此不能直接测量实际布线图形，而专利文献2所公开的方法由于是用光学显微镜测量，因此很难进行自动化与定量化。另外，专利文献3的方法的原理如下在金属布线内产生空隙(void)时，该空隙会阻碍电流的流动，因此产生了空隙的不合格品的薄膜电阻高、而没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线图形埋入的检查方法，用于通过在表面形成了布线图形沟槽的基板上成膜金属膜来将金属埋入该布线图形沟槽从而形成布线图形的工序，包括：膜厚测量工序，有选择地测量成膜在基板上的金属膜中的由从实质上与基板面相同的面开始向上淀积的金属构成的部分、即基板上方部分的膜厚；评价工序，根据由上述膜厚测量工序获得的膜厚测量结果来评价上述布线图形沟槽中的上述金属的埋入状态。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-14 005883/20031.一种布线图形埋入的检查方法，用于通过在表面形成了布线图形沟槽的基板上成膜金属膜来将金属埋入该布线图形沟槽从而形成布线图形的工序，包括膜厚测量工序，有选择地测量成膜在基板上的金属膜中的由从实质上与基板面相同的面开始向上淀积的金属构成的部分、即基板上方部分的膜厚；评价工序，根据由上述膜厚测量工序获得的膜厚测量结果来评价上述布线图形沟槽中的上述金属的埋入状态。2.根据权利要求1所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于，上述评价工序包括通过将预先测量出的合格品的上述基板上方部分的基准膜厚值与由上述膜厚测量工序得出的上述膜厚的值进行比较来计算出上述布线图形沟槽中的上述金属的埋入率的工序。3.根据权利要求1所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于上述膜厚测量工序包括以横穿上述布线图形沟槽的方式对上述基板面进行扫描来测量上述膜厚的工序，上述评价工序包括从测量出的上述膜厚的值中取出最小的膜厚值的工序和通过将取出的上述最小膜厚值与预先测量出的合格品的上述基板上方部分的基准最小膜厚值进行比较来计算出上述布线图形沟槽中的上述金属的埋入率的工序。4.根据权利要求1所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于上述膜厚测量工序包括以横穿上述布线图形沟槽形成的区域的方式对上述基板面进行扫描来测量上述膜厚的工序，上述评价工序包括从测量出的上述膜厚的值中计算出最大膜厚差的工序和根据预先经过测量而准备的上述金属膜的上述基板上方部分的最大膜厚差与图形沟槽中的埋入率的相关关系从计算出的上述最大膜厚差计算出上述布线图形沟槽中的上述金属的埋入率的工序。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于，上述膜厚测量工序包括如下的工序即，在上述金属膜的表面激励涡流，测量由此而产生的涡流损失，并根据得出的涡流损失值计算出上述金属膜的上述基板上方部分的膜厚。6.根据权利要求5所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于利用接受高频电流后励磁高频磁场的涡流损失测量传感器来激励上述涡流，根据成膜上述金属膜时的目标膜厚来设定上述高频电流的频率。7.根据权利要求1至4中任意一项所述的布线图形埋入的检查方法，其特征在于上述膜厚测量工序及上述评价工序与上述形成布线图形的工序并行地进行。8.一种半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：长野修，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]