半导体存储装置制造方法及图纸

一实施例的半导体存储装置包含：经堆叠主体，其中堆叠有多个第一导电层与插置于所述多个第一导电层之间的第一绝缘层，所述经堆叠主体具有其中所述多个第一导电层的端部分以阶梯形状终止的阶梯区域及其中布置有多个存储器单元的存储器区域；第二绝缘层，其覆盖所述阶梯区域且至少达到所述存储器区域中所述经堆叠主体的上部表面的高度；及第一结构，其具有沿着与所述阶梯区域的上升/下降方向相交的第一方向的纵向方向，所述第一结构在所述第二绝缘层中沿所述经堆叠主体的堆叠方向延伸，所述第一结构沿着所述上升/下降方向中断所述阶梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案基于2020年7月27日提出申请的第2020
‑
126758号日本专利申请案并主张所述日本专利申请案的优先权的权益；所述日本专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本文中描述的本专利技术的实施例大体来说涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]在三维非易失性存储器中，存储器单元相对于多个经堆叠导电层三维地布置。在此配置中，缓解因经堆叠主体与其周边部分之间的材料差异导致的应力是合意的。

技术实现思路

[0005]一实施例的半导体存储装置包含：经堆叠主体，其中堆叠有多个第一导电层与插置于所述多个第一导电层之间的第一绝缘层，所述经堆叠主体具有其中所述多个第一导电层的端部分以阶梯形状终止的阶梯区域及其中布置有多个存储器单元的存储器区域；第二绝缘层，其覆盖所述阶梯区域且至少达到所述存储器区域中所述经堆叠主体的上部表面的高度；及第一结构，其具有沿着与所述阶梯区域的上升/下降方向相交的第一方向的纵向方向，所述第一结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其包括：经堆叠主体，其中堆叠有多个第一导电层与插置于所述多个第一导电层之间的第一绝缘层，所述经堆叠主体具有其中所述多个第一导电层的端部分以阶梯形状终止的阶梯区域及其中布置有多个存储器单元的存储器区域；第二绝缘层，其覆盖所述阶梯区域且至少达到所述存储器区域中所述经堆叠主体的上部表面的高度；及第一结构，其具有沿着与所述阶梯区域的上升/下降方向相交的第一方向的纵向方向，所述第一结构在所述第二绝缘层中沿所述经堆叠主体的堆叠方向延伸，所述第一结构沿着所述上升/下降方向中断所述阶梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其进一步包括：第二结构，其具有沿着所述第一方向的纵向方向且沿所述第二绝缘层的厚度方向延伸，所述第二绝缘层也在所述阶梯区域外侧扩展，且所述第二结构基本上穿透所述阶梯区域外侧的所述第二绝缘层。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第二结构沿所述第二方向的宽度宽于所述第一结构沿所述第二方向的宽度。4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第一结构的纵横比高于所述第二结构的纵横比。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构包含沿所述第二方向布置的多个第一结构。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构具有位于所述第二绝缘层中且在所述阶梯区域中的所述经堆叠主体上面的下部端部分。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构沿所述第一方向连续地延伸。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构包含沿所述第一方向排列的多个柱状部分。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构含有具有拉伸应力的材料。10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一结构含有钨、多晶硅或SiO2。11.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第一结构含有第一材料，且所述第二结构在上部部分中含有所述第一材料且在下部部分中含有具有拉伸应力且不同于所述第一材...

【专利技术属性】
技术研发人员：古林贤，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：