铁电电容器及其制造方法技术

一种铁电电容器，包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，　　　　其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且两层相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器的电容器及其制造方法，并且特别涉及一种包括至少两层具有不同成分或不同成份比例的铁电物质膜的铁电电容器(ferroelectric capacitor)及其制造方法。
技术介绍
诸如移动信息及通信装置的便携式电子装置的广泛使用产生了对于即使在关闭电源后仍能够保存数据的非易失性存储器(non-volatile memory)的越来越大的需求。期望铁电随机存取存储器(以下，称为FRAM)成为一种具有高速数据处理和低功耗优点的非易失性存储器。通常，半导体存储器包括多个存储单元，并且每个存储单元都包括晶体管和电容器。每个FRAM的存储单元也包括晶体管和电容器。然而，FRAM中的电容器是使用铁电物质作为介电材料的铁电电容器。如图1所示，传统铁电电容器通过顺序地叠置作为下电极的第一铂(Pt)膜10、作为铁电膜的PZT(PbZrXTi1-XO3)膜12、以及作为上电极的第二铂(Pt)膜14而形成。在图1的传统铁电电容器中，PZT膜12通过利用化学溶液沉积(以下称为CSD)或化学汽相沉积(以下称为CVD)每次形成规定的厚度。同时，诸如空隙或过剩原子的缺陷残留在PZT膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电电容器，包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极， 其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且两层相邻的铁 电膜具有不同的成分或不同的成份比例。

【技术特征摘要】
2003.02.04 KR 6728/20031.一种铁电电容器，包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且两层相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。2.如权利要求1所述的铁电电容器，其中铁电电容器还包括下电极与电介质层之间或上电极与电介质层之间的中间层。3.如权利要求1所述的铁电电容器，其中电介质层为顺序叠置的第一至第三铁电膜。4.如权利要求2所述的铁电电容器，其中电介质层为顺序叠置的第一至第三铁电膜。5.如权利要求3所述的铁电电容器，其中第一至第三铁电膜分别为从由PZT膜、PLZT(Pb1-ZLaZZrXTi1-XO3)膜或BSO-PZT膜构成的组中选取的一种膜，并且两层相邻的铁电膜彼此不同。6.如权利要求2所述的铁电电容器，其中中间层为铂(Pt)层。7.如权利要求6所述的铁电电容器，其中上电极和下电极由导电氧化层或金属层中的一种形成。8.一种制造铁电电容器的方法，该铁电电容器中顺序叠置着下电极、电介质层和上电极，其中电介质层通过在下电极上形成第一铁电膜并在第一铁电膜上形成第二铁电膜而形成，第二铁电膜具有与第一铁电膜的成分或成份比例不同的成分或不同的成份比例。9.如权利要求8所述的方法，其中该方法还包括在第二铁电膜上形成第三铁电膜，第三铁电膜具有与第二铁电膜的成分或成份比例不同的成分或不同的成份比例。10.如权利要求8所述的方法，其中第一和第二铁电膜用不同的形成工艺形成为具有相同的成分但...

【专利技术属性】
技术研发人员：申尚旻，李容均，姜保守，卢泰元，尹钟杰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：