【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列板及其制造方法，特别是一种用于有机电致发光显示装置的薄膜晶体管阵列板。
技术介绍
通常，有机电致发光(EL)显示器是一种自发射显示装置，其通过激发有机发光材料发射光来显示图像。有机EL显示器包括一个阳极(空穴注入电极)，一个阴极(电子注入电极)，和一个插入它们之间的有机发光层。当空穴和电子注入发光层时，它们复合并随着发射出光成对湮灭。发光层进一步包括电子输运层(ETL)和空穴输运层(HTL)以及用于增强光发射的电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。有机EL显示器的多个像素成矩阵排列并由无源矩阵(或简单矩阵)寻址或有源矩阵寻址驱动，每个像素包括一阴极，一阳极和一发光层。无源矩阵型有机EL显示器包括多个阳极线，与阳极线交叉的多个阴极线，以及多个像素，每个像素包括一发光层。选择其中一阴极线和其中一阳极线使位于被选信号线的交叉处的像素发光。有源矩阵型有机EL显示器包括多个像素，每个像素包括一开关晶体管和一驱动晶体管以及一阴极，一阳极和一发光层。EL显示器进一步包括多个栅极线传输栅极信号和多个数据线传送数据电压。开关晶体管与其中一条...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列板，包括： 包括多个像素区域的绝缘衬底； 形成在该衬底上的栅极线； 第一数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉以限定所述像素区域； 第二数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉； 形成在所述像素区域中的多个像素电极； 与该栅极线和数据线连接并包括多晶硅构件的多个开关薄膜晶体管；以及 与所述开关薄膜晶体管、所述像素电极和所述第二数据线连接并包括多晶硅构件的多个驱动薄膜晶体管， 其中，该衬底包括多组分区，每个分区提供有基本上具有相同驱动能力的所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管，所述多个组中的一个组中的分区中的开...
【技术特征摘要】
KR 2003-1-8 0000971/03;KR 2003-2-10 0008153/031.一种薄膜晶体管阵列板，包括包括多个像素区域的绝缘衬底；形成在该衬底上的栅极线；第一数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉以限定所述像素区域；第二数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉；形成在所述像素区域中的多个像素电极；与该栅极线和数据线连接并包括多晶硅构件的多个开关薄膜晶体管；以及与所述开关薄膜晶体管、所述像素电极和所述第二数据线连接并包括多晶硅构件的多个驱动薄膜晶体管，其中，该衬底包括多组分区，每个分区提供有基本上具有相同驱动能力的所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管，所述多个组中的一个组中的分区中的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管具有不同的驱动能力，不同组中的分区得以混合。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中最近邻的分区属于不同的组，次最近邻的分区属于相同的组。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中每个像素区域包括所述分区中的一个。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中具有不同驱动能力的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的多晶硅构件具有不同的晶体特性。5.一种薄膜晶体管阵列板，包括包括多个像素区域的绝缘衬底；设置于所述像素区域上的多个多晶硅构件；形成在所述多晶硅构件上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的栅极线；形成在所述栅极线上的第一层间绝缘层；数据线，形成在所述第一层间绝缘层上并且与所述栅极线交叉以限定所述像素区域；形成在所述数据线上的第二层间绝缘层；以及形成在所述第二层间绝缘层上并且置于所述像素区域中的多个像素电极，其中，该衬底包括多组分区，每个分区提供有基本上具有相同驱动能力的多晶硅构件，所述多个组中的一组中的分区中的多晶硅构件具有不同驱动能力，不同组中的分区得以混合。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列板，还包括形成在所述像素电极上的多个有机发光构件；形成在所述像素电极上并限定被所述发光构件占据的区域的多个隔墙；以及形成在所述发光构件和隔墙上的公共电极。7.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述多晶硅构件包含多个包括沟道区、源极区和漏极区的开关晶体管部分，多个包括沟道区、源极区和漏极区的驱动晶体管部分，以及多个与所述驱动晶体管部分连接的存储电极部分；所述栅极线包含多个第一栅极电极、多个第二栅极电极、以及多个分别与所述开关晶体管部分、所述驱动晶体管部分和所述存储电极部分交迭的存储电极；其中所述数据线包含多个第一和第二数据线，多个与第一数据线和所述开关晶体管部分的所述源极区连接的第一源极电极，多个与所述开关晶体管部分的所述漏极区和所述第二栅极电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：金县裁，姜淑映，金东范，李秀卿，姜明求，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。