降低表面粗糙度的方法技术

本发明专利技术提供了一种降低半导体材料晶片自由表面粗糙度的方法，该方法包括为使所述自由表面平滑而进行的退火阶段，其特征是降低自由表面粗糙度的阶段包括一个简单的平滑退火操作，该操作是在唯一由纯氩气组成的环境中以快速加温退火的方式进行的。本发明专利技术还提供了通过此种方法所制备的一种结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到材料表面处理的综合方法，特别涉及对用于制造微电子和/或光电子产品的元器件的底材进行处理。更准确地说，本专利技术涉及到一种降低半导体材料晶片自由表面粗糙度的方法，该方法包括一个退火操作以使所述自由表面平滑。术语“自由表面”意指晶片暴露于外部环境的表面(以区别于与另一个晶片或其它元器件相接触的界面)。正如下面所述，本专利技术可以很好地与法国专利NO.2,681,472中描述的半导体材料类型的薄膜或薄层的制备方法结合使用，但并非仅限于此。
技术介绍
一种实现上面所引用文献所述方法的是公知的Smartcut方法。概况地讲，它的主要步骤如下·在底材的植入区里，在半导体材料(尤其是硅)的表面下植入原子；·将植入的底材与一种硬化剂紧密接触；和·将植入区里植入的底材进行裂化以将位于接受植入的表面与植入区之间的底材部分转移到硬化剂上，从而在其上面形成一层半导体薄膜或薄层。术语“植入”原子包括对适合引入所述的晶片材料的任何原子或离子种类的轰击，该植入种类的最大浓度由相对于轰击表面而进入薄片的深度决定，因此定义了一个弱区。弱区的深度是植入种类的自然功能，与之相联系的能量用于植入。在本文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以降低晶片半导体材料自由表面粗糙度的方法，该方法包括一个使自由表面平滑所述的退火阶段，其特征在于在降低自由表面粗糙度的阶段里包括单一的平滑退火操作，它是在纯氩气的气氛下以快速加温退火的形式进行的。

【技术特征摘要】
FR 2001-7-4 01088591.一种用以降低晶片半导体材料自由表面粗糙度的方法，该方法包括一个使自由表面平滑所述的退火阶段，其特征在于在降低自由表面粗糙度的阶段里包括单一的平滑退火操作，它是在纯氩气的气氛下以快速加温退火的形式进行的。2.如前述权利要求所述的方法，其特征在于它包括以下的预先步骤·在底材的植入区里，在底材的表面下植入原子的步骤，通过这一步制作成了晶片；·将植入的底材与一种硬化剂紧密接触的步骤；和·将植入区里植入的底材进行裂化以使晶片离开位于接受植入的表面与植入区之间的底材区域，并将该晶片转移到硬化剂上。3.如前述任一权利要求所述的方法，其特征在于快速加温退火技术是在高温下进行的，温度在1100-1250℃的范围内，时间是5-30s。4.如前述权利要求所述的方法，其特征在于在纯氩气环境下进行的快速加温退火操作后接着进行抛光操作。5.如前述权利要求所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：E布雷，L埃尔卡诺，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]