温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种降低半导体材料晶片自由表面粗糙度的方法，该方法包括为使所述自由表面平滑而进行的退火阶段，其特征是降低自由表面粗糙度的阶段包括一个简单的平滑退火操作，该操作是在唯一由纯氩气组成的环境中以快速加温退火的方式进行的。本发明还提供了...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。