一种ZnO基发光二极管及其制备方法技术

一种ＺｎＯ基发光二极管，其特征是形成ｎ－ＺｎＯ／Ｃｄ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ／ｐ－ＺｎＯ单量子阱，将ｐ、ｎ电极制作在有源层同侧，采用背面出光。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管。
技术介绍
ZnO是一种理想的短波长发光器件材料。目前，ZnO基发光二极管(LED)有异质结构形式的，如p-SrCu2O2/n-ZnO，这种LED发光波长不可调，也有将电极做在有源区异侧的，这种结构由于电极材料对光的吸收作用，大大限制了发光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种发光层能带可调，具有量子阱结构，且高发光效率的ZnO基LED。本专利技术的ZnO基发光二极管在衬底上自下而上1)先沉积n-ZnO薄膜。2)沉积CdxZn1-xO薄膜。3)沉积p-ZnO薄膜，该步采用Al、N共掺技术。4)第一次光刻，分割出LED小单元。5)第二次用干法刻蚀技术光刻出n-ZnO台阶。6)第三次用lift-off工艺光刻出p型电极。7)第四次用lift-off工艺光刻出n型电极。本专利技术方案的ZnO基发光二极管，形成n-ZnO/CdxZn1-xO/p-ZnO单量子阱，将p、n电极制作在有源层同侧，采用背面出光，n-ZnO，p-ZnO制作过程中都采用AlxZn1-x靶材，靶材AlxZn1-x中的x为0＜x＜0.4，CdxZn1-xO中的x为0＜x＜1，p型ZnO中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZnO基发光二极管，其特征是形成n-ZnO/CdxZn1-xO/p-ZnO单量子阱，将p、n电极制作在有源层同侧，采用背面出光。2.按权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征是所述的n-ZnO，p-ZnO制作过程中都采用AlxZn1-x靶材。3.按权利要求2所述的ZnO基发光二极管，其特征是所述的靶材AlxZn1-x中的x为0＜x＜0.4；所述的CdxZn1-xO中的x为0＜x＜1。4.按权利要求1-3中任一所述的ZnO基发光二极管，其特征是所述的p型ZnO中的p型掺杂剂的来源为NH3、N2O、NO、NO2或者N2中的一种或几种。5.按权利要求1-3任一所述的ZnO基发光二极管，其特征是在0-1之间调节CdxZn1-xO的X值改变发光波段，使得到发射紫外光、紫光、绿光或蓝光。6.按权...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，袁国栋，黄靖云，曾昱嘉，吕建国，马德伟，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：