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一种ＺｎＯ基发光二极管，其特征是形成ｎ－ＺｎＯ／Ｃｄ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ／ｐ－ＺｎＯ单量子阱，将ｐ、ｎ电极制作在有源层同侧，采用背面出光。...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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