一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路，包括DAC芯片、偏置电路和像元电路，所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电压Vgsk接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与偏置电压Vgfid接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与偏置电压Vgfid接口相连。极均与偏置电压Vgfid接口相连。极均与偏置电压Vgfid接口相连。

【技术实现步骤摘要】
一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路


[0001]本技术涉及光电成像领域，尤其涉及一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路。

技术介绍

[0002]目前帧积分光电成像的偏置电路一般采用内置DAC供电，如图1所示，RA为有效元电阻，用来接收外界各波段光辐射；ROB为参考元电阻，可隔离外界光辐射，ROB和RA结构相同，阻值大小一致；PMOS为RA的偏置MOS管；NMOS为ROB的偏置MOS管；VDETP和Vgsk为RA偏置电压；VDETN和Vgfid为ROB偏置电压；VREF为积分电容消隐期复位电压。其中Vgsk和Vgfid为内置DAC供电。
[0003]传统帧积分光电成像处理电路的偏置电路的缺点是，由于RA和ROB存在工艺及环境差异，在芯片环境变化时，RA和ROB可能会有不同大小的阻值变化，这样会给积分电流引入一个偏差量，从而使输出VIDEO信号值有一个整体漂移，甚至会漂移至输出饱和。
[0004]因此有必要设计一种新的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，以克服上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：包括DAC芯片、偏置电路和像元电路，所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS，所述参考元电阻ROA的一端与偏置电压VDETP相连，所述参考元电阻ROA的另一端与第二偏置MOS管PMOS的源极相连，所述参考元电阻ROA与所述第二偏置MOS管PMOS一一对应，所述第二偏置MOS管PMOS的漏极和所述第二偏置MOS管NMOS的漏极相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与像元电路的偏置电压Vgsk接口相连，所述第二偏置MOS管NMOS的源极通过第二参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连，各所述第二参考元电阻ROB并联，各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连。2.如权利要求1所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述像元电路包括有效元偏置电路、参考元偏置电路、时序控制开关电路、积分电容C，所述有效元偏置电路包括有效元电阻RA、第一偏置MOS管PMOS，第一偏置MOS管PMOS的源极通过有效元电阻RA与偏置电压VDETP相连，第一偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电路的偏置电压Vgsk接口相连，第一偏置MOS管PMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。3.如权利要求2所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述参考元偏置电路包括第一参考元电阻ROB、第一偏置MOS管NMOS，第一偏置MOS管NMOS的源极通过参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连，第一偏置MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，李谋涛，
申请(专利权)人：武汉微智芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：