用于图像传感器像素的NMOS比较器制造技术

仅限NMOS的运算跨导放大器(OTA)将PMOS晶体管替换为光学传感器(诸如动态视觉传感器或基于事件的视觉传感器)的像素中的开关电容伪电阻器。因此，如果采用堆叠CMOS图像传感器(CIS)处理，则上部晶圆可以保持没有N个阱，同时在上部晶圆上的OTA仍然完整。因此，每个像素只能有一个晶圆到晶圆的连接。此外，通过将开关电容伪电阻器作为三端器件操作，还可以增加增益。增益。增益。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于图像传感器像素的NMOS比较器
[0001]相关申请
[0002]本申请要求于2019年5月10日提交的美国临时申请号62/846,282的35 USC 119(e)项下的权益，该申请通过引用全部并入本文。

技术介绍

[0003]如今，机器视觉主要基于传统相机及其相关的基于帧的空间分辨光学传感器。对于某些机器视觉任务，例如目标识别，这些传统的基于帧的相机及其基于图像的光学传感器非常适合。然而，对于其他任务，例如，监视、跟踪或位置和运动估计，传统图像传感器存在缺点。
[0004]主要缺点是传统相机产生大量冗余和不必要的数据，必须对这些数据进行捕获、通信和处理。这种高数据负载通过降低时间分辨率来减慢反应时间，导致功耗增加，并且增加机器视觉系统的尺寸和成本。此外，大多数图像传感器的动态范围有限、低光性能差、运动模糊。
[0005]另一方面，所谓的动态视觉传感器(DVS)克服了基于帧的编码的限制。参见由Lichtsteiner等人撰写的标题为“Photoarray for Detecting Time
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光学传感器的比较器，包括：输入NMOS晶体管，接收各个比较器输入；以及时钟NMOS晶体管，控制至少一个所述输入NMOS晶体管的漏极电阻。2.根据权利要求1所述的比较器，还包括电容器，所述电容器耦接到在所述时钟NMOS晶体管之间的节点。3.根据权利要求1所述的比较器，还包括控制两个所述输入NMOS晶体管中的每个的漏极电阻的时钟NMOS晶体管。4.根据权利要求1所述的比较器，还包括两对时钟NMOS晶体管，每对时钟NMOS晶体管控制两个所述输入NMOS晶体管中的每个的漏极电阻。5.根据权利要求4所述的比较器，还包括电容器，所述电容器耦接在所述每对时钟NMOS晶体管之间。6.根据权利要求1至5中任一项所述的比较器，还包括另一对时钟NMOS晶体管，所述另一对时钟NMOS晶体管控制所述输入NMOS晶体管的源极电阻。7.一种用于光学传感器的像素电路，包括：感光器，用于检测所接收的光子；以及比较器，用于将所述感光器的输出与参考电压进行比较，其中，所述比较器不包含PMOS晶体管。8.根据权利要求7所述的像素电路，其中，所述比较器包括：输入NMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉斐尔，
申请(专利权)人：索尼高级视觉传感股份公司，
类型：发明
国别省市：