【技术实现步骤摘要】
总的来说，本专利技术涉及一种在制造半导体装置中用于化学机械抛光(CMP)工艺的浆液组合物，具体涉及一种用于装置晶片的钨层的平面化的CMP浆液组合物。
技术介绍
金属包括钨在制造集成电路中有广泛的应用。例如，可以形成金属层来相互连接在硅晶片上的众多导电的设备或用来构成这些设备。目前，集成电路通过在硅晶片上和/或在硅晶片中安装合适的装置如二极管或晶体管而被制造出来。同时，反复进行在装置的整个表面上形成绝缘材料和导电材料的不同层的工艺。在集成电路中，接触孔或通道的特性依赖于绝缘材料的性能，并且通道被填充了导电材料以提供垂直接触，该垂直接触穿透了绝缘层并且接触到安装在晶片上的设备的适当的部位。当铝被用作布线材料时，完全填充通道的内部是不够的。典型的是，通道用能适于CVD(化学气相沉积)工艺的钨来填充。在化学气相沉积的过程中，钨不但能填充通道而且也能覆盖绝缘层的表面。在除去多余的钨之后，在电介质层和通道上就形成了铝线路。以前，在传统的半导体工艺中，在钨除去步骤中使用RIE(活性离子蚀刻)工艺。然而，RIE工艺有关键性缺陷，因为它倾向于过度腐蚀钨层，甚至部分腐蚀了在通道...
【技术保护点】
一种用于金属化学机械抛光的浆液组合物，包括过氧化氢、无机酸、ＰＤＴＡ（丙二胺四乙酸）－金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中，ＰＤＴＡ－金属络合物中金属原子和氧原子间的键能低于Ｏ－Ｗ的键能。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李在锡，都元重，卢炫秀，李吉成，李钟元，尹普彦，河商录，朴俊相，洪昌基，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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