【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置,特别涉及使静电击穿电压大幅度提高的半导体装置。
技术介绍
从卫星广播接收机的出现开始的一般民用微波机器市场,由于便携电话的世界性的普及而一举扩大,现在,无线宽带用途的市场真正开始。在这些市场中,主要使用适合微波使用的镓·砷(GaAs)器件和将以往的Si器件精细化、立体结构化,谋求了低寄生电容化、低寄生电阻化Si微波器件。图13是表示化合物半导体开关电路装置的电路图。第1FET1和第2FET2的源极电极(或漏极电极)连接到公共输入端子IN,FET1和FET2的栅极电极分别通过电阻R1、R2连接到第1和第2控制端子Ctl-1、Ctl-2,这样FET1和FET2的漏极电极(或源极电极)与第1和第2输出端子OUT1、OUT2连接。施加到第1和第2控制端子Ctl-1、Ctl-2的控制信号是互补信号,施加H电平信号的一侧的FET导通(ON),施加到公共输入端子IN的输入信号传送到任一方的输出端子。电阻R1、R2对于成为交流接地的控制端子Ctl-1、Ctl-2的直流电位,通过栅极电极以防止高频信号漏出为目的进行配置。图14表示将该化合物半导体开关电 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,包括:具有连接到衬底上设置的工作区域表面的栅极电极、源极电极、漏极电极和连接到各电极的栅极端子、源极端子、漏极端子的成为被保护元件的FET;保护元件,所述被保护元件的任意一个被并联连接在2个端子之 间,在第1高浓度掺杂区域和第2高浓度掺杂区域的2个端子间设置绝缘区域,使施加到所述被保护元件的2个端子间的静电能量在所述第1和第2高浓度掺杂区域间放电,使到达对应于所述被保护元件的2个端子的所述2个电极的静电能量衰减到不超过所述2个 电极间的静电击穿电压的程度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:浅野哲郎,榊原干人,平井利和,
申请(专利权)人:三洋电机株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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