通过预处理实现界面更加平滑的鈷硅化物工艺制造技术

一种实现界面更加平滑的集成电路钴硅化物工艺，其特征在于在形成钴硅化物前，通过离子注入的方法，将不同种类的离子注入到衬底中，随后采取一般的钴硅化物形成工艺形成界面更加平滑的钴硅化物。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造工艺
，具体涉及一种通过预处理实现界面更加平滑的鈷硅化物工艺。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小。目前主流工艺0.13μm技术就是指栅极的长度为0.13微米。在线宽不断缩小的同时，为了提高晶体管的性能，源/漏结的深度也在不断减小，在0.13微米工艺下结的深度只有数十纳米。目前的集成电路制造工艺中都使用硅化物工艺技术来减少源漏区域和多晶电极的电阻。其中在0.18/0.13微米技术下使用钴硅化物(CoSi2)取代以前的钛硅化物工艺。鈷硅化物工艺的突出优点就是电阻没有随线宽缩小而变大的效应。但是对于鈷硅化物工艺来说，不仅是要保持低电阻，在结深很浅的情况下，保证结的漏电足够小，也是鈷硅化物工艺面对的一个重大的工艺难点。目前主要的方法就是调节溅射的Co膜的厚度或者调节快速热退火的温度。而这很可能造成满足电阻要求就不满足漏电要求，满足漏电要求就不满足电阻要求的两难处境。特别是在结深更浅的0.09μm工艺下，已有诸如NiSi等新模块可以取代CoSi2。为了能够满足在更新技术下对硅化物的要求，需要对目前的钴硅化物工艺作出改进。
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现界面更加平滑的集成电路钴硅化物工艺，其特征在于在形成钴硅化物前，通过离子注入的方法，将不同种类的离子注入到衬底中，随后采取一般的钴硅化物形成工艺形成界面更加平滑的钴硅化物。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡恒声，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：