利用X射线检查半导体材料的晶片的方法技术

一种利用Ｘ射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用Ｘ射线束扫描该晶片的表面，并检测所述Ｘ射线束产生的二次辐射。在检查之前，将Ｘ射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片被暴露的一侧去除晶体半导体材料，去除一直进行到与表面相邻的顶层。从而可以检查顶层，而该检查不会受到位于顶层以下的晶片层中出现的晶体缺陷或杂质的影响。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用X射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用X射线束来扫描该晶片的表面，并检测由该射线束产生的二次辐射。该二次辐射是由X射线束与半导体本体中存在的晶面相互作用而产生的X射线的衍射造成的。为了利用X射线衍射产生二次辐射，利用具有符合布拉格条件的波长的X射线束从一个角度对该薄片进行扫描。然后可以在该晶片的背面检测到相对比较强的第二X射线束。实际上，从晶片背面发射出来的射线束被记录在照相底板上。在扫描该晶片表面过程中，在该照相底板上形成一图像。如果该晶片不包含晶体缺陷，则发射束将表现出恒定的强度，且该照片底板会得到均匀的光学密度。但是，如果该晶片包含晶体缺陷，则形成一个图像，该图像能够确定这些晶体缺陷在晶片上的位置和特征。该技术也称为X射线形貌学。在半导体材料的晶片中形成半导体电路期间，在这些晶片中，形成彼此隔离的作用区，即其相邻的表面；例如通过硅的局部氧化在硅晶片中形成它们。随后，通过例如离子注入，在这些作用区中加入掺杂剂。然后通常在高温下对该晶片进行热处理。这些处理应当在非常精确和极其清洁的环境下执行。在这些处理期间可能会出现误差，使晶体出现缺陷和引入不希本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用Ｘ射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用Ｘ射线束扫描该晶片的表面，并检测该射线束产生的二次辐射，其特征在于，在利用Ｘ射线检查之前，将Ｘ射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片，即从其暴露的自由侧去除晶体材料，到到与表面相邻的顶层为止。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2001-9-18 01203526.71.一种利用X射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用X射线束扫描该晶片的表面，并检测该射线束产生的二次辐射，其特征在于，在利用X射线检查之前，将X射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片，即从其暴露的自由侧去除晶体材料，到到与表面相邻的顶层为止。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该晶片被粘接到可透射X射线的材料的衬底上。3.如权利要求2所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：CHH埃蒙斯，HGR马亚斯，TM米奇埃森，R德科，AJ詹森，IA林克，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]