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一种利用Ｘ射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用Ｘ射线束扫描该晶片的表面，并检测所述Ｘ射线束产生的二次辐射。在检查之前，将Ｘ射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片被暴露的一侧去除晶体半导体材料，去除一直进行到与...
该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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