可防止静电破坏的发光二极管元件制造技术

本发明专利技术是有关于一种发光二极管元件，尤指一种可防止静电破坏的发光二极管元件，其主要是于一表面绝缘基板上设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路，第一供电电路可电性连接于一发光二极管的ＬＥＤ第一电极及一抗静电保护元件的ＥＳＤ第二电极，而第二供电电路则可电性连接于发光二极管的ＬＥＤ第二电极及一抗静电保护元件的ＥＳＤ第一电极，致使发光二极管及抗静电保护元件形成一反接的并联电路，由第一供电电路及第二供电电路的作用面积大于ＥＳＤ第一电极及ＥＳＤ第二电极的特性，因此，不但可简化制作程序及提高生产良率，且又可增加发光二极管元件的使用寿命。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管元件，尤指一种可防止静电破坏的发光二极管元件，不但可简化制作程序及提高生产良率，且又可增加发光二极管元件的使用寿命者。
技术介绍
发光二极管因为具有体积小、重量轻、低耗电、寿命长等诸多优点，因此广泛使用于电脑周边、通讯产品以及其他电子装置中。然而，发光二极管不论于制造程序中或使用中，常因一静电放电作用而导致发光二极管毁损，因此，如何避免发光二极管因静电放电作用而造成的损坏疑虑，定发光二极管元件设计及制造上的一大重点。请参阅图1，是为现有具有静电防护效果的发光二极管元件的电路示意图。如图所示，其主要构造是包括有一发光二极管10及一齐纳二极管(ZenerDiode)20，两者以并联方式反方向连接。当供应一正常的输入电压V“时，对于发光二极管10而言，其两端自然形成一顺向偏压(Forward Bias)促使电流导通，进而使发光二极管10投射光源；而对齐纳二极管20而言，其两端形成一逆向偏压(ReversedBias)而呈断路状态，因此不消耗电能。当静电放电现象发生时，一异常大的输入电压Vcc形成于齐纳二极管20的两端，而造成齐纳二极管20崩溃(Break本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其主要构造是包括有：一表面绝缘基板，其上设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路；至少一发光二极管，每一发光二极管可包括有一ＬＥＤ第一电极及一ＬＥＤ第二电极，其中该Ｌ ＥＤ第一电极直接固定于该表面绝缘基板的第一供电电路，而ＬＥＤ第二电极则固定于表面绝缘基板的第二供电电路；及一抗静电保护元件，包括有一ＥＳＤ第一电极及一ＥＳＤ第二电极，其中该ＥＳＤ第一电极亦可直接固定于该表面绝缘基板的第二供电电路，而 ＥＳＤ第二电极则固定于表面绝缘基板的第一供电电路，致使抗静电保护元件与该发光二极管形成一...

【技术特征摘要】
1.一种可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其主要构造是包括有一表面绝缘基板，其上设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路；至少一发光二极管，每一发光二极管可包括有一LED第一电极及一LED第二电极，其中该LED第一电极直接固定于该表面绝缘基板的第一供电电路，而LED第二电极则固定于表面绝缘基板的第二供电电路；及一抗静电保护元件，包括有一ESD第一电极及一ESD第二电极，其中该ESD第一电极亦可直接固定于该表面绝缘基板的第二供电电路，而ESD第二电极则固定于表面绝缘基板的第一供电电路，致使抗静电保护元件与该发光二极管形成一反向并联电路。2.如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其中该绝缘表面绝缘基板是可选择为一氮化硅材料、氧化铝材料、氮化铝材料、氧化铍材料、及覆有介电材料的碳化硅材料、氮化镓材料、硅材料及其组合式的其中的一材料所制成。3.如权利要求2所述的可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其中该介电材料是可选择为二氧化硅、二氧化钛、氮化硅及其组合式的其中之一。4.如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其中该发光二极管是以覆晶封装方式而贴合于该表面绝缘基板上。5.如权利要求4所述的可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其中该发光二极管的LED第一电极及LED第二电极尚可由一黏合材料而分别电性连接于该第一供电电路及该第二供电电路，而其中该黏合材料是可选择为一金一硅、金—锡、锡—铅、锡—银、锡铟银、银胶或锡膏及其组合式的其中之一材料。6.如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光二极管元件，其特征在于，其中该抗静电保护元件是可选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明德，林三宝，
申请(专利权)人：光磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]