激光退火装置及激光退火工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种激光退火装置，适用于一激光退火工艺。此激光退火装置包括一激光加工模块、一电阻量测模块以及一主机电路模块。其中激光加工模块系提供一激光束至一非晶硅薄膜，以使其再结晶形成一多晶硅薄膜，而电阻量测模块适于量测多晶硅薄膜的片电阻，以得到一片电阻值。此外，主机电路模块根据所测得的片电阻值对应输出一反馈讯号至激光加工模块，以调整激光束的能量密度至最佳化。此激光退火装置可提供较佳的薄膜品质，并可提高激光退火工艺合格率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管工艺，且特别涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管的激光退火工艺。
技术介绍
随着高科技的发展，视讯产品，特别是数字化的视讯或影像装置已经成为在一般日常生活中所常见的产品，而目前在这些数字化的视讯或影像装置中最受注目的显示器当属于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)。在各种薄膜晶体管中，多晶硅(Poly-Silicon，Poly-Si)薄膜晶体管的电子迁移率(Electron mobility)可达到200cm2/V-sec以上，远较非晶硅(Amorphous Silicon，α-Si)薄膜晶体管的电子迁移率大。因此，可使薄膜晶体管的体积缩小且开口率(Aperture ratio)增加，进而增加显示器亮度且减少功率消耗。多晶硅薄膜晶体管早期工艺是采用固相结晶(Solid PhaseCrystallization，SPC)工艺，但是其工艺温度高达摄氏1000度，所以必需采用熔点较高的石英基板。此外，由于石英基板成本比玻璃基板贵上许多，且在基板尺寸的限制下，面板大约仅有2至3时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光退火装置，适于对一非晶硅薄膜进行激光退火工艺，其特征在于：该激光退火装置包括：一激光加工模块，提供一激光束至该非晶硅薄膜，以使该非晶硅薄膜再结晶而形成一多晶硅薄膜；一电阻量测模块，适于量测该多晶硅薄膜的片电阻，以得到 一片电阻值；一主机电路模块，电性连接于该激光加工模块与该电阻量测模块之间，该主机电路模块根据该片电阻值对应输出一反馈讯号至该激光加工模块，以调整该激光束的能量密度至最佳化。

【技术特征摘要】
1.一种激光退火装置，适于对一非晶硅薄膜进行激光退火工艺，其特征在于该激光退火装置包括一激光加工模块，提供一激光束至该非晶硅薄膜，以使该非晶硅薄膜再结晶而形成一多晶硅薄膜；一电阻量测模块，适于量测该多晶硅薄膜的片电阻，以得到一片电阻值；一主机电路模块，电性连接于该激光加工模块与该电阻量测模块之间，该主机电路模块根据该片电阻值对应输出一反馈讯号至该激光加工模块，以调整该激光束的能量密度至最佳化。2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于更包括一承载模块，其中该承载模块可活动地配置于该激光加工模块与该电阻量测模块之间，用以承载该非晶硅薄膜，且该承载模块电性连接至该主机电路模块。3.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于该激光加工模块包括一激光光源；一控制电路，其中该控制电路电性连接于该激光光源与该主机电路模块之间。4.根据权利要求3所述的激光退火装置，其特征在于该激光光源包括准分子激光。5.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于该电阻量测模块包括一量测端；一输出电路，其中该输出电路电性连接于该量测端与该主机电路模块之间。6.根据权利要求5所述的激光退火装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹义昌，吴焕照，林武雄，林文章，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]