【技术实现步骤摘要】
相关申请的参考本申请以在先的日本专利申请No.2003-157154(申请日2003年6月2日)以及No.2004-76408(申请日2004年3月17日)为基础并要求享受其优先权，本文引用其全部内容作为参考。
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及有机膜例如抗蚀膜的化学机械抛光，以及一种制备半导体器件的方法。2.相关技术的描述在加工半导体器件的方法中，采用光致抗蚀膜作为牺牲膜以制备所需结构。例如，在半导体衬底上形成沟槽后或者在绝缘膜上形成孔后，涂敷光致抗蚀剂以形成牺牲膜。然后，使所述可消耗膜经历凹进工艺或剥离工艺以获得所需结构。这种工艺已被用于形成掩埋带，该掩埋带在制造配有沟槽电容的半导体存储器时用于电连接存储节点电极和单元晶体管的扩散层。此外，这种工艺同样可用于在形成铜双大马士革结构(Cu DD结构)的过程中预先形成通路孔(初级DD通路)的工艺。在任一种情况下，光致抗蚀膜的厚度必须在薄片的整个表面上均匀一致。然而，当将抗蚀剂施涂在以高密度图形形成沟槽和孔的区域以达到用抗蚀剂掩埋这些沟槽和孔时，所得抗蚀膜的体积会在这样的高图形密度区域处减少。因此，会在位于高图形密度...
【技术保护点】
一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒 径为０．０５～５μｍ的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的ｐＨ值为２～８，第二浆料包含初级粒径为０．０５～５μｍ的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
【技术特征摘要】
JP 2003-6-2 157154/2003;JP 2004-3-17 076408/20041.一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。2.根据权利要求1所述的方法，其中浆料中的树脂颗粒由选自甲基丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、脲醛树脂、三聚氰氨树脂、聚缩醛树脂和聚碳酸酯树脂中的至少一种组成。3.根据权利要求1所述的方法，其中浆料由第一浆料组成。4.根据权利要求3所述的方法，其中第一浆料包含至少一种选自羧酸类、磺酸类、硫酸类、磷酸类、胺盐类、季铵盐类、醚类、酯类、链烷醇酰胺类、羧基甜菜碱类和甘氨酸类官能团的官能团。5.根据权利要求3所述的方法，其中抛光垫的抗压模量为100～600MPa，并且在半导体衬底与抛光垫的相对速率被设为0.17～1.06m/sec的情况下抛光有机膜。6.根据权利要求3所述的方法，其中在具有凹形部分的下层上方形成有机膜，并且浆料中的树脂颗粒的初级粒径不小于凹形部分的开口直径的70％。7.根据权利要求3所述的方法，其中在200～600gf/cm2的压力下将半导体衬底压在抛光垫上。8.根据权利要求1所述的方法，其中浆料由第二浆料组成，并且表面活性剂的亲水结构选自于阴离子基团、阳离子基团和非离子基团。9.一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；通过将含有初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒的分散体供至抛光垫而对有机膜进行第一次抛光；和在第一次抛光之后通过将含有具有亲水结构的表面活性剂的溶液供至抛光垫而对有机膜进行第二次抛光。10.根据权利要求9所述的方法，其中分散体中的树脂颗粒由选自甲基丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、脲醛树脂、三聚氰氨树脂、聚缩醛树脂和聚碳酸酯树脂中的至少一种组成。11.根据权利要求9所述的方法，其中表面活性剂的亲水结构选自于阴离子基团、阳离子基团和非离子基团。12.一种制备半导体器件的方法，其包括在下层中形成凹形部分，下层为半导体衬底或者沉积在半导体衬底上方的绝缘膜；在形成凹形部分的下层的上方形成抗蚀膜；对抗蚀膜进行化学机械抛光以选择性地留下处于凹形部分中的抗蚀膜，其中通过将在半导体衬底上形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触而进行化学机械抛光；和使浆料落在抛光垫上...
【专利技术属性】
技术研发人员：松井之辉，南幅学，竖山佳邦，矢野博之，重田厚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。