显示器件和电子设备制造技术

一种显示器件，其中降低了由于晶体管特性的改变而引起的亮度改变，并防止了由于电阻值的改变而引起的图像质量退化。本发明专利技术包括其沟道部分由非晶半导体或有机半导体构成的晶体管，连接到该晶体管的源电极或漏电极的连接布线，具有包括像素电极、电致发光层和反向电极的叠层结构的发光元件，环绕像素电极端部的绝缘层，和形成在和晶体管的栅电极、连接布线、或像素电极相同的层上的辅助布线。而且，连接布线连接到像素电极，且辅助布线通过提供在绝缘层中的开口部分连接到反向电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括自发光元件和其沟道部分由非晶半导体或有机半导体形成的晶体管的显示器件。
技术介绍
近年来，包括发光元件的显示器件已经得到了积极的发展。除了常规液晶显示器件的优势之外，发光显示器件具有诸如响应快、优良的动态显示和宽视角的特征。因此，作为下一代平板显示器，发光显示器件吸引了众多的注意。发光显示器件包括多个像素，每个像素具有发光元件和至少两个晶体管。在每个像素中，与发光元件串联连接的晶体管控制发光元件的发光或不发光。对于晶体管，在很多情况下采用具有高场效应迁移率的多晶半导体(多晶硅)。发光元件具有其中将电致发光层夹在一对电极之间的结构。具体来说，在构图的第一导电层(第一电极)上形成电致发光层，然后形成第二导电层(第二电极)以便覆盖电致发光层的整个表面。
技术实现思路
使用多晶硅的晶体管由于晶界中的晶体缺陷而易于引起特性的变化。因此，即使输入相同的信号电压时，每个像素中晶体管的漏电流也会不同，造成亮度的变化。由于前述原因，本专利技术提供一种显示器件，其中抑制了由晶体管特性的变化而引起亮度的变化。优选的是，对形成在电致发光层上的第二导电层(第二电极)进行加热以降低电阻。然而，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，包括：　　　　其沟道部分由非晶半导体或有机半导体构成的晶体管；　　　　连接到该晶体管的源电极或漏电极的连接布线；　　　　具有包括像素电极、电致发光层和反向电极的叠层结构的发光元件；　　　　环绕该像素电极端部的绝缘层；以及　　　　形成在和晶体管的栅电极、连接布线、或像素电极相同的层中的辅助布线，　　　　其中该连接布线连接到像素电极；以及　　　　辅助布线通过提供在该绝缘层中的开口部分连接到反向电极。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-17 172009/031.一种显示器件，包括其沟道部分由非晶半导体或有机半导体构成的晶体管；连接到该晶体管的源电极或漏电极的连接布线；具有包括像素电极、电致发光层和反向电极的叠层结构的发光元件；环绕该像素电极端部的绝缘层；以及形成在和晶体管的栅电极、连接布线、或像素电极相同的层中的辅助布线，其中该连接布线连接到像素电极；以及辅助布线通过提供在该绝缘层中的开口部分连接到反向电极。2.根据权利要求1的器件，还包括用于控制晶体管和发光元件的驱动器IC，其中驱动器IC附着在包括晶体管和发光元件的基板上。3.根据权利要求1的器件，还包括用于控制晶体管和发光元件的驱动器IC，其中驱动器IC连接到连接膜上，该连接膜附着在包括晶体管和发光元件的基板上。4.根据权利要求1的器件，其中晶体管是沟道蚀刻型晶体管。5.根据权利要求1的器件，其中晶体管是沟道保护型晶体管。6.根据权利要求1的器件，其中晶体管是双栅型晶体管。7.根据权利要求1的器件，其中发光元件和晶体管形成在柔性基板上。8.根据权利要求1的器件，还包括用于向发光元件施加反向偏置电压的反向偏置电压施加电路。9.一种使用根据权利要求1的显示器件的电子设备。10.一种显示器件，包括其沟道部分由非...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]