半导体装置制造方法及图纸

在半导体装置和半导体装置的制造方法中，象素部分２０５的源极电线１２６是由低阻的材料（具有代表性的是铝，银，铜）而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线１６２和象素电极１６３相同的形成过程中形成的。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有由薄膜晶体管(此下文称之为“TFT”)构成电路的半导体装置，和半导体装置的制造方法。例如，本专利技术涉及一种由液晶显示屏显示的电光设备和电光设备作为一部件安装在其上面的电子装置。在本说明书中，半导体装置意味着是一种运用半导体特性而工作的常用设备，电光设备，半导体电路和电子设备定义为半导体装置。
技术介绍
最近，人们更多注重通过使用在具有绝缘表面的衬底上形成的半导体薄膜(其厚度大约为几百nm)而形成薄膜晶体管(TFT)的技术。薄膜晶体管已广泛应用于电子设备，如IC，电光设备等中，特别是将薄膜晶体管应用于图象显示设备的开关元件中的发展已迅速地成为需要。众所周知，液晶显示设备是作为一种图象显示设备。有源矩阵型液晶显示设备已经比无源型液晶显示设备更被频繁地使用，这是因为有源矩阵型液晶显示设备能够提供较高分辨率的图象。在有源矩阵型液晶显示设备中，显示图案是通过驱动以矩阵形式排列的象素电极在荧光屏上形成的。更具体地说，一电压作用在一所选择象素电极和与所选择象素电极相对的反电极上以便对象素电极和反电极之间的液晶层进行光调制，这样光调制就被观察者识别为显示图案。这种有源矩阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，它包括：一第一ｎ沟道型ＴＦＴ，设置在象素中；一第二ｎ沟道型ＴＦＴ，设置在驱动电路中；一第三ｎ沟道型ＴＦＴ，设置在上述驱动电路中，其特征在于每个上述第一ｎ沟道型ＴＦＴ，上述第二ｎ沟道型ＴＦＴ，和 上述第三ｎ沟道型ＴＦＴ的栅电极具有由一第一导电层和一第二导电层组成的层状结构，作为下层的第一导电层具有第一宽度，作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。

【技术特征摘要】
JP 2000-11-28 361971/001.一种半导体装置，它包括一第一n沟道型TFT，设置在象素中；一第二n沟道型TFT，设置在驱动电路中；一第三n沟道型TFT，设置在上述驱动电路中，其特征在于每个上述第一n沟道型TFT，上述第二n沟道型TFT，和上述第三n沟道型TFT的栅电极具有由一第一导电层和一第二导电层组成的层状结构，作为下层的第一导电层具有第一宽度，作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。2.一种半导体装置，它包括一第一n沟道型TFT，设置在象素中；一第二n沟道型TFT，设置在驱动电路中；一第三n沟道型TFT，设置在上述驱动电路中，其特征在于上述第一n沟道型TFT的栅电极具有由一第二导电层和一第一导电层组成的层状结构，第一导电层和上述第二导电层具有相同的宽度，每个上述第二n沟道型TFT和上述第三n沟道型TFT的栅电极具有由第一导电层和第二导电层组成的层状结构，作为下层的第一导电层具有第一宽度，作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。3.如权利要求1所述的一种装置，其特征在于一EEMOS电路或一EDMOS电路由上述的第二n沟道型TFT和上述的第三n沟道型TFT而形成。4.如权利要求2所述的一种装置，其特征在于一EEMOS电路或一EDMOS电路由上述的第二n沟道型TFT和上述的第三n沟道型TFT而形成。5.如权利要求1所述的一种装置，其特征在于上述驱动电路的每个上述n沟道型TFT具有一锥形部的栅电极，一与上述栅电极相叠加的沟道形成区域和一与上述栅电极部分相叠加的杂质区域。6.如权利要求2所述的一种装置，其特征在于上述驱动电路的每个上述n沟道型TFT具有一锥形部的栅电极，一与上述栅电极相叠加的沟道形成区域和一与上述栅电极部分相叠加的杂质区域。7.如权利要求1所述的一种装置，其特征在于每个上述第一和第二和第三n沟道型TFTs包括一在其中含磷的杂质区域，上述杂质区域包括一具有磷的浓度梯度范围至少从1×1017至1×1018/cm3的面积，上述面积中磷的浓度随着沟道形成区域的距离的增大而增加。8.如权利要求2所述的一种装置，其特征在于每个上述第一和第二和第三n沟道型TFTs包括一在其中含磷的杂质区域，上述杂质区域包括一具有磷的浓度梯度范围至少从1×1017至1×1018/cm3的面积，上述面积中磷的浓度随着沟道形成区域的距离的增大而增加。9.如权利要求1所述的一种装置，其特征在于上述驱动电路的上述n沟道型TFTs的源极电线和上述象素部分的上述n沟道型TFTs的源极电线由不同材料组成。10.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]