磁电阻效应元件、磁头、磁悬挂组件和磁还原设备制造技术

利用电流垂直平面（ＣＰＰ）系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，其中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，该磁电阻效应元件包括包含自由层（５）和第一个钉扎层（７）的第一单元（Ｕ１）、包含与第一单元共享的自由层（５）和第二钉扎层（３）的第二单元（Ｕ２）、在第一单元（Ｕ１）中提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层（９）、在第二单元（Ｕ２）中提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层（８）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用电流垂直平面(CCP)系统的磁电阻效应元件，包括磁电阻效应元件的磁头、头悬挂组件和磁还原设备。在CCP系统中，传感电流的流向与多个导电层堆叠的方向垂直。
技术介绍
在最近几年中，包含硬盘单元的磁记录设备的尺寸已经迅速地变得越来越小，因此记录密度已经变得越来越高。预计这种趋势将在未来变得越来越强。为了取得高记录密度，不仅需要通过将记录轨道变窄的方法来增加记录轨道密度，而且需要记录时增加记录密度(或线记录密度)。为了还原介质上所记录的信号，在现有技术中已经使用了感应头。因为记录密度变得越来越高，所以记录轨道宽度就变得越来越窄。因此，记录比特尺寸就变得越来越小，结果感应头就不能获得足够强的还原信号输出。为了克服这个缺陷，已经开发了使用各向异性磁电阻(AMR)效应(AMR)的磁头。以屏蔽还原头的名义提供了这样的AMR磁头。最近，通过利用巨磁电阻(GMR)效应，已经使用了具有很高灵敏度的自旋阀GMR头。即使当记录比特尺寸很小时，使用这些还原头仍然能够使还原信号输出获得足够的电平。利用隧道磁电阻(TMR)效应元件或利用CPP-GMR元件的磁头开发正在进行，并且将这种磁头投入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用电流垂直平面（ＣＰＰ）系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，在该系统中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，磁电阻效应元件的特征在于包括：包含自由层（５）和第一钉扎层（７）的第一单元（Ｕ１）；包含与第一单元共享的自由层（５）和第二钉扎层（３）的第二单元（Ｕ２）；在第一单元中被提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层（９）；以及在第二单元中被提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层（８）。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-10 2003-3189181.一种利用电流垂直平面(CPP)系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，在该系统中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，磁电阻效应元件的特征在于包括包含自由层(5)和第一钉扎层(7)的第一单元(U1)；包含与第一单元共享的自由层(5)和第二钉扎层(3)的第二单元(U2)；在第一单元中被提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层(9)；以及在第二单元中被提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层(8)。2.如权利要求1中所述的磁电阻效应元件，其特征在于，第一和第二单元中的至少一个包含在自由层和钉扎层之间提供的非磁性中间层(6A、6B)。3.如权利要求1中所述的磁电阻效应元件，其特征在于，第一和第二单元中的至少一个包含反铁磁层(12，13)，它固定钉扎层的磁化方向。4.如权利要求1至3中的任何一个所述的磁电阻效应元件，其特征在于，在所述多个导电层之间的界面处提供第一和第二电流控制层中的至少一个。5.如权利要求1至3中的任何一个所述的磁电阻效应元件，其特征在于，在所述多个导电层的薄膜中形成第一电流控制层和第二电流控制层中的至少一个。6.如权利要求2中所述的磁电阻效应元件，其特征在于，当第一单元包含非磁性中间层时，在非磁性中间层和自由层之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：船山知己，高岸雅幸，鸿井克彦，馆山公一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]