【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量LSI芯片等半导体器件的各种电气特性的测试插件的衬底。
技术介绍
以往的测试插件用衬底的结构如图4所示，设有备有与检测半导体器件用测量仪器相接触的第1连接电极3′的第1主面1a′和有依靠配线与该第1连接电极通导的第2连接电极4′的第2主面1b′的主衬底1′，备有与被检测对象物(半导体器件)接触的测头相连接的的第4连接电极6′的第2主面2b′和有依靠配线与该第4连接电极4′通导的第3连接电极5′的第1主面2a′的副衬底2′，主衬底1′与副衬底2′之间设有中间衬底7′，一端从中间衬底7′朝向主衬底1′的第2连接电极4′与其接触、另一端朝向副衬底2′的第3连接电极5′与其接触并呈“く”字形的连接卡9′。然而，采用这种测试插件用衬底，当连接卡9′一端与主衬底1′的第2连接电极4′接触、另一端与副衬底2′的第3连接电极5′接触时，作为彼此相对的两个电极间导电的导电元件的连接卡9′和支撑连接卡9′的支持衬底7′，在结构上至少存在两个通电吸附的点，即连接卡9′的一前端与主衬底1′的第2主面接触的部位及连接卡9′的另一前端与副衬底2′的第1主面接触的部位...
【技术保护点】
一种具有如下特点的测试插件用衬底：是由与检测半导体器件的测量仪器接触的主衬底、安装有与半导体器件接触的测头的副衬底、使二者通电的导电元件组成的测试插件用衬底；该主衬底和该副衬底固定连接，该主衬底与副衬底相对的面上的电极和该副衬底与主衬底相对的面上的电极之间通电。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中岛雅成，田中茂和，
申请(专利权)人：日本电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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