电路装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:3203774 阅读:114 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电路装置及其制造方法,使导电图案之间的间隔均匀化。该制造方法包含如下工序:准备导电箔(40);通过在导电箔上形成等间隔具有宽度的分离槽(41),形成构成至少具有电路元件(12)的搭载区域的单元(45)的导电图案(11);电连接导电图案(11)和电路元件(12);由密封树脂密封,覆盖电路元件(12),并填充在分离槽(41)内:并除去未设有分离槽(41)的厚的部分的导电箔(40)。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路装置以及其制造方法,特别是涉及一种具有等间隔分开的导电图案的。
技术介绍
现有的设于电子设备的电路装置,为在手提电话、手提电脑等采用,正追求着小型化、薄型化和轻量化。例如,提到作为电路装置的半导体装置,最近正在开发称为CSP(芯片尺寸封装)的与芯片尺寸相同的晶片级CSP。图11表示支承衬底采用玻璃环氧衬底65的比芯片尺寸大一些的CSP66。在此,说明在玻璃环氧衬底65上安装晶体管芯片T的CSP。在该玻璃环氧衬底65的表面上形成第一电极67、第二电极68以及小垫片69,背面上形成第一背面电极70和第二背面电极71。并且第一电极67与第一背面电极70介由通孔TH连接。另外第二电极68与第二背面电极71介由通孔TH电连接。另外在小垫片69上固定粘接所述晶体管裸片T,晶体管发射极与第一电极67介由金属细线72连接。另外,晶体管的基极与第二电极68介由金属细线72连接。在玻璃环氧衬底65上设有树脂层73,覆盖晶体管芯片T。所述CSP66采用玻璃环氧衬底65,但不同于晶片级CSP,从芯片T到外部连接用背面电极70、71的延伸结构简单,具有可低成本制造的优点。但是,上述C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置,其特征在于,具有导电图案和与所述导电图案电连接的电路元件,所述导电图案之间等间隔分开。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:高桥幸嗣
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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