【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于对半导体基板或液晶基板等的基板表面吹送至少含有臭氧的处理气体,在该基板表面形成氧化膜或者是将形成于基板表面的氧化膜改性、或者是将在基板表面所形成的抗蚀膜去除的臭氧处理装置。
技术介绍
作为上述臭氧处理装置,以往已有如图7与图8所示的装置。另外,图7是以往例的臭氧处理装置的部分截面图,为图8的箭头E-E方向的截面图。图8是图7中箭头D-D方向的俯视图。如图7与图8所示,所述臭氧处理装置100是具备载置基板K的载置台101,以及位于此载置台101的上方、与所述基板K呈对向配置的气体供给头102。这些载置台101与气体供给头102是配置在具备密闭空间的处理室内(未图示),在处理室(未图示)中是适当地形成有排出口,其内部气体可由该排出口而排出外部。在所述载置台101内藏有加热器等所构成的加热机构(未图示),载置于其上的所述基板K可被此加热机构(未图示)所加热。另外,载置台t01可由升降机构(未图示)作自由升降。所述气体供给头102均由块状构件所构成、呈上下积层接合的喷嘴部103以及冷却部104所构成。在该喷嘴部103的上面,也就是与所述冷却部104的接 ...
【技术保护点】
一种臭氧处理装置,其特征在于,是设置以下部分而构成:载置台,是用以载置基板;加热机构,是用以将所述载置台上的基板加热;对向板,是与所述载置台上的基板呈对向配置,同时具有开口于与所述基板对向的面、并将含有臭氧的处理气体 朝所述基板喷出的多个喷出口,和设于所述喷出口间、表里贯通的贯通孔;以及气体供给机构,是对所述对向板的各喷出口供给所述处理气体而使得气体喷出。
【技术特征摘要】
JP 2002-1-24 15919/20021.一种臭氧处理装置,其特征在于,是设置以下部分而构成载置台,是用以载置基板;加热机构,是用以将所述载置台上的基板加热;对向板,是与所述载置台上的基板呈对向配置,同时具有开口于与所述基板对向的面、并将含有臭氧的处理气体朝所述基板喷出的多个喷出口,和设于所述喷出口间、表里贯通的贯通孔;以及气体供给机构,是对所述对向板的各喷出口供给所述处理气体而使得气体喷出。2.如权利要求1所述的臭氧处理装置,其中,以将所述对向板划分为多个区域的方式连续设置所述多个贯通孔,所述喷出口是在由所述贯通孔所划分的各区域分别形成。3.如权利要求2所述的臭氧处理装置,其中,所述贯通孔的孔径为0.5mm-3mm。4.如权利要求1所述的臭氧处理装置,其中,所述贯通孔是形成为细长的狭缝状,且所述对向板是利用该贯通孔而被划分成为多个区域;所述喷出口是在由所述贯通孔所划分的各区域分别形成。5.如权利要求4所述的臭氧处理装置,其中,所述狭缝的宽度为0.5mm-3mm。6...
【专利技术属性】
技术研发人员:菊池辰男,山中健夫,山口征隆,金山登纪子,
申请(专利权)人:住友精密工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。