一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管技术

本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，包括：提供基板，在所述基板上形成栅极，在所述基板及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及金属层；将所述金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管制作方法及其结构。

技术介绍

[0002]在薄膜晶体管液晶显示器TFT
‑
LCD(Thin Film Transistor
‑
Liquid Crystal Display)中，薄膜晶体管TFT的功能相当于一个开关管。常用的TFT是三端器件，一般在玻璃基板上制备半导体层，在其两端设置与之相连的源极和漏极，利用施加在栅极上的电压来控制源、漏电极间的电流。
[0003]现有技术制备薄膜晶体管TFT中，在蚀刻完形成源漏极后，还需要对半导体层蚀刻形成背沟道，但是一般的背沟道蚀刻方式会造成背沟道缺陷增加，引起漏电流的增加。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种薄膜晶体管，能够解决流平物质进入光刻胶形成的凹槽难度高、平坦层过厚的问题。
[0005]为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
[0006]一种薄膜晶体管的制作方法，包括：
[0007]提供基板，在所述基板上沉积第一金属层，并将第一金属层形成栅极；
[0008]在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及金属层；
[0009]将所述金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及
[0010]对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。
[0011]在其中一些实施例中，所述隔绝层是利用干蚀刻的方式形成，干蚀刻所采用的反应气体是O2、O3、N2O中的一种或者两种及以上的组合。
[0012]在其中一些实施例中，干蚀刻还包括向反应腔体中引入辅助性气体，所述辅助性气体是SF6、NF3、CF4、CHF3、CH2F2中的一种或者两种及以上的组合。
[0013]在其中一些实施例中，所述辅助性气体占整个反应腔体内气体的比例1％
‑
20％。
[0014]在其中一些实施例中，在干蚀刻形成所述隔绝层之前还包括分别在所述源极及漏极远离所述有源层的端部形成光阻层，所述光阻层的尺寸大于所述源极的端部的尺寸，所述光阻层的尺寸所述漏极的端部的尺寸。
[0015]本专利技术还涉及一种薄膜晶体管。
[0016]一种薄膜晶体管，包括：
[0017]基板；
[0018]栅极，位于基板上的；
[0019]栅极绝缘层，位于所述基板及栅极上；
[0020]有源层，位于所述栅极绝缘层上；
[0021]源极及漏极，位于所述有源层表面、所述栅极上方，所述源极与所述漏极之间对应
所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及
[0022]隔绝层，位于所述源漏极接触区之间、且与所述背沟道对应。
[0023]在其中一些实施例中，所述有源层包括设置在栅极绝缘层上的非晶硅层和设置在非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层，所述氧化层的厚度不小于所述N型掺杂非晶硅层的厚度。
[0024]在其中一些实施例中，所述隔绝层的尺寸小于背沟道开口的尺寸。
[0025]在其中一些实施例中，所述隔绝层为一氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅中的任意一种或者是由一氧化硅、二氧化硅和氮氧化硅所组成的群组。
[0026]在其中一些实施例中，所述源极与漏极为柱状或者圆台状结构。
[0027]在其中一些实施例中，所述平坦层的折射率大于所述光取出层的折射率。
[0028]与现有技术相比较，本申请提供的薄膜晶体管带来的技术效果是：本专利技术提供的上述薄膜晶体管的制作方法制作形成的薄膜晶体管，背沟道区内的N型掺杂非晶硅层氧化形成为不导电的氧化层而非蚀刻形成凹槽，避免了蚀刻形成具缺陷的凹槽而造成漏电流的产生，提高了薄膜晶体管的品质，减少品质问题发生的风险，并且由于减少了第二道干蚀刻制程凹槽的蚀刻，也即减少了蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，缩短了生产周期，提升了工厂产能。
附图说明
[0029]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]图1为本申请一实施例提供的一种基板及在基板表面形成第一金属层的剖面图；
[0031]图2为将第一金属层形成栅极的剖视图；
[0032]图3为在栅极表面形成栅极绝缘层、有源层及第二金属层的剖面图；
[0033]图4为在第二金属层的表面形成蚀刻阻挡层的剖面图；
[0034]图5为蚀刻去掉非TFT区域的第二金属层的剖面示意图；
[0035]图6为本蚀刻去掉非TFT区域的有源层的剖面示意图；
[0036]图7为将TFT区域的第二金属层蚀刻形成源极及漏极的剖面示意图；
[0037]图8是在源极及漏极的表面形成光阻层的剖面示意图；
[0038]图9为将与背沟道区域的有源层进行第二次干蚀刻形成隔绝层后得到的薄膜晶体管的剖面示意图。
[0039]附图标记说明
[0040]100
‑
薄膜晶体管；41
‑
非晶硅层；42
‑
N型掺杂非晶硅层；45
‑
拖尾；
[0041]1‑
基板；11
‑
第一金属层；2
‑
栅极；3
‑
栅极绝缘层；4
‑
有源层；
[0042]5‑
第二金属层；61
‑
源极；62
‑
漏极；63
‑
背沟道；65
‑
源漏极接触区；
[0043]7‑
隔绝层；8
‑
蚀刻阻挡层；9
‑
光阻层；
[0044]10
‑
TFT区域；12
‑
非TFT区域
具体实施方式
[0045]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0046]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上沉积第一金属层，并将所述第一金属层形成栅极；在所述基板及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及第二金属层；将所述第二金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔绝层是利用干蚀刻的方式形成，干蚀刻所采用的反应气体是O2、O3、N2O中的一种或者两种及以上的组合。3.根据权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，干蚀刻还包括向反应腔体中引入辅助性气体，所述辅助性气体是SF6、NF3、CF4、CHF3、CH2F2中的一种或者两种及以上的组合。4.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述辅助性气体占整个反应腔体内气体的比例1％
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20％。5.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在干蚀刻形成所述隔绝层之前还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈梦，江志雄，杨汉涛，董石宇，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：