【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]本专利文档涉及半导体封装件,并且更具体地,涉及其中半导体芯片安装在基板上的半导体封装件。
技术介绍
[0002]半导体芯片可以以各种方式安装在基板上。作为示例,可以使用将半导体芯片的连接电极附接到形成于基板的表面上的焊盘的方法,例如,倒装芯片接合方法。
[0003]在倒装芯片接合工艺中,可以使用各种方法来检查半导体芯片的连接电极是否正确地接合至基板焊盘。
技术实现思路
[0004]在实施方式中,一种半导体封装件可以包括:半导体芯片,其包括形成在第一表面上的正常连接电极和测量连接电极;以及基板,其包括连接至正常连接电极的正常基板焊盘和连接至测量连接电极的测量基板焊盘,正常基板焊盘和测量基板焊盘形成在面对第一表面的表面上,其中,测量连接电极包括分别形成在半导体芯片的两个侧边缘区域的第一边缘测量连接电极和第二边缘测量连接电极、以及在半导体芯片的中央区域中布置为彼此间隔开的第一中央测量连接电极和第二中央测量连接电极,侧边缘区域沿着第一方向行进,中央区域在第一方向上设置在两个侧边缘区域 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件,该半导体封装件包括:半导体芯片,所述半导体芯片包括形成在第一表面上的正常连接电极和测量连接电极;以及基板,所述基板包括连接至所述正常连接电极的正常基板焊盘和连接至所述测量连接电极的测量基板焊盘,所述正常基板焊盘和所述测量基板焊盘形成在面对所述第一表面的表面上,其中,所述测量连接电极包括分别形成在所述半导体芯片的两个侧边缘区域的第一边缘测量连接电极和第二边缘测量连接电极以及在所述半导体芯片的中央区域中布置为彼此间隔开的第一中央测量连接电极和第二中央测量连接电极,所述侧边缘区域沿着第一方向行进,所述中央区域在所述第一方向上设置在所述两个侧边缘区域之间,其中,所述测量基板焊盘包括:中央测量基板焊盘,所述中央测量基板焊盘具有在所述第一中央测量连接电极和所述第二中央测量连接电极的布置方向上的长边以同时连接所述第一中央测量连接电极和所述第二中央测量连接电极;第一边缘测量基板焊盘,所述第一边缘测量基板焊盘具有与所述中央测量基板焊盘的长边交叉的长边同时连接至所述第一边缘测量连接电极;以及第二边缘测量基板焊盘,所述第二边缘测量基板焊盘具有与所述中央测量基板焊盘的长边交叉的长边同时连接至所述第二边缘测量连接电极,并且其中,所述第一边缘测量连接电极和所述第一中央测量连接电极彼此电连接,并且所述第二边缘测量连接电极和所述第二中央测量连接电极彼此电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述基板还包括:第一测量端子,所述第一测量端子电连接至所述第一边缘测量基板焊盘;以及第二测量端子,所述第二测量端子电连接至所述第二边缘测量基板焊盘。3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,电路径被形成为穿过所述第一测量端子、所述第一边缘测量基板焊盘、所述第一边缘测量连接电极、所述第一中央测量连接电极、所述中央测量基板焊盘、所述第二中央测量连接电极、所述第二边缘测量连接电极、所述第二边缘测量基板焊盘和所述第二测量端子。4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,当所述第一边缘测量基板焊盘和所述第一测量端子彼此间隔开时,所述基板还包括将所述第一边缘测量基板焊盘连接至所述第一测量端子的第一连接部。5.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,当所述第二边缘测量基板焊盘与所述第二测量端子彼此间隔开时,所述基板还包括将所述第二边缘测量基板焊盘连接至所述第二测量端子的第二连接部。6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片还包括:第一测量导电图案,所述第一测量导电图案将所述第一边缘测量连接电极连接至所述第一中央测量连接电极;以及第二测量导电图案,所述第二测量导电图案将所述第二边缘测量连接电极连接至所述第二中央测量连接电极。7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片包括在第三方向上布置的多个布线层,所述第三方向是所述半导体芯片的厚度的方向,其中,所述正常连接电极连接至正常导电图案,所述正常导电图案是所述多个布线层中最靠近所述半导体芯片的所述第一表面的部分。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述第一测量导电图案和所述第二测量导电图案在所述第三方向上与所述正常导电图案位于相同的水平。9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述第一测量导电图案和...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐铉哲,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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