一种对位标记结构制造技术

本申请实施例提供一种对位标记结构，所述对位标记结构用于作为参照物，以实现对叠层结构中的介质层和牺牲层的对准，所述对位标记结构至少包括：对位标记结构图案以及包围所述对位标记结构图案的图案支撑结构；所述对位标记结构图案位于所述牺牲层的表面；所述图案支撑结构用于在去除所述牺牲层时支撑所述对位标记结构图案，所述图案支撑结构具有至少一开口，所述开口用于在对所述叠层结构进行等离子体刻蚀时，导出聚集在所述牺牲层上的电荷。导出聚集在所述牺牲层上的电荷。导出聚集在所述牺牲层上的电荷。

【技术实现步骤摘要】
一种对位标记结构


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种对位标记结构。

技术介绍

[0002]相关技术中，在栅线(Gate Layer，GL)刻蚀后会首先去除固定层(例如，ZERO支撑结构)底下的多晶硅，为了防止因多晶硅被去除后没有结构支撑导致GL图案的脱落，因此，在GL图案的周围设计了一个ZERO栅格 (Grid)，作为结构支撑。
[0003]然而，在ZERO栅格形成后，ZERO支撑结构底部的多晶硅处于一个悬空状态，在等离子体刻蚀形成虚拟沟道孔(Dummy Channel，DCH)/GL时，电荷聚集在多晶硅上，将会引起电弧放电。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种对位标记结构，能够在等离子体刻蚀形成DCH/GL时避免产生电弧放电。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种对位标记结构，所述对位标记结构用于作为参照物，以实现对叠层结构中介质层和牺牲层的对准，所述对位标记结构至少包括：对位标记结构图案以及包围所述对位标记结构图案的图案支撑结构；
[0007]所述对位标记结构图案位于所述牺牲层的表面；
[0008]所述图案支撑结构用于在去除所述牺牲层时支撑所述对位标记结构图案，所述图案支撑结构具有至少一开口，所述开口用于在对所述叠层结构进行等离子体刻蚀时，导出聚集在所述牺牲层上的电荷。
[0009]在一些实施例中，所述开口为部分开口或全开口，所述开口位于所述图案支撑结构的任一侧边。
>[0010]在一些实施例中，所述图案支撑结构具有多个所述开口，具有所述开口的图案支撑结构的形状至少包括：U型结构、V型结构或S型结构。
[0011]在一些实施例中，所述开口具有预设尺寸参数；每两个所述开口之间的所述预设尺寸参数相同或不同。
[0012]在一些实施例中，所述图案支撑结构与所述对位标记结构图案通过粘接剂固定，且所述对位标记结构图案与所述图案支撑结构之间的距离大于或等于阈值。
[0013]在一些实施例中，所述对位标记结构图案的类型包括但不限于以下至少之一：覆盖标记图案、光刻对位标记结构图案和L型对位标记结构图案，其中，所述覆盖标记图案包括当层标记图案和前层标记图案，所述对位标记结构图案为当层标记图案或前层标记图案。
[0014]在一些实施例中，所述当层标记图案包括至少一条沿第一方向延伸的第一标记图案，且每一条所述第一标记图案在所述第一方向上的尺寸相同或不同，所述第一方向垂直
于所述叠层结构的堆叠方向。
[0015]在一些实施例中，所述前层标记图案包括至少一条沿第二方向延伸的第二标记图案，且每一条所述第二标记图案在所述第二方向上的尺寸相同或不同，其中，所述第二标记图案与所述第一标记图案相同或不同，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向与所述第二方向构成的平面平行于所述牺牲层所在的平面。
[0016]在一些实施例中，所述叠层结构包括依次交替堆叠的所述牺牲层和所述介质层；所述对位标记结构还包括固定层；
[0017]所述固定层与每一层所述介质层的至少一个侧面固定连接，所述固定层用于在去除所述牺牲层时，固定每一所述介质层；其中，所述固定层的材料至少包括氧化硅或氮氧化硅。
[0018]在一些实施例中，所述对位标记结构位于三维存储器的存储阵列区或切割道区。
[0019]本申请实施例提供的对位标记结构，由于具有对位标记结构图案以及包围对位标记结构图案的图案支撑结构，图案支撑结构用于在去除叠层结构中的牺牲层时支撑对位标记结构图案，且图案支撑结构具有至少一个开口，开口可以用于导出聚集在牺牲层上的电荷，如此，能够在后续等离子体刻蚀过程中避免电弧放电。
附图说明
[0020]在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
[0021]图1A为相关技术中的光刻对准标记的俯视结构示意图；
[0022]图1B为相关技术中覆盖标记的一种俯视结构示意图；
[0023]图1C为相关技术中覆盖标记的另一种俯视结构示意图；
[0024]图1D为相关技术中当层标记的俯视结构示意图；
[0025]图1E为相关技术中L型标记的俯视结构示意图；
[0026]图1F为相关技术中叠层结构的剖面结构示意图；
[0027]图1G为相关技术中形成ZERO支撑结构的结构剖面结构示意图；
[0028]图1H为相关技术中刻蚀形成DCH/GL的剖面结构示意图；
[0029]图1I为相关技术中电弧放电的俯视结构示意图；
[0030]图2A至图2C为本申请实施例提供的对位标记结构的一种可选的俯视结构示意图；
[0031]图3A为本申请实施例提供的对位标记结构的一种可选的俯视结构示意图；
[0032]图3B为本申请实施例提供的L型对位标记结构的一种可选的俯视结构示意图；
[0033]图3C和图3D为本申请实施例提供的覆盖标记图案的一种可选的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0034]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
[0035]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”或“单元”的后缀仅为了有利于
本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”或“单元”可以混合地使用。
[0036]框架(Frame)上的对准标记(mark)是目前光刻工艺中最常用来做对准用途的图形，通常，对准标记被设置于光罩和晶圆上，是用来确定光罩和晶圆之间的位置和方向的可见图形，通过在曝光时对准对准标记(Alignment Mark) 来达到对准的目的，如图1A所示，为相关技术中的光刻对准标记的俯视结构示意图。Frame上的标记还可以在套刻误差量测时，量测当层和前层的偏差，来达到量测前后层套刻误差的目的。如图1B所示，为相关技术中覆盖标记的一种俯视结构示意图，所述覆盖标记包括当层标记101和前层标记102。如图 1C所示，为相关技术中覆盖标记的另一种俯视结构示意图，所述覆盖标记包括：当层标记101'和前层标记102。如图1D所示，为相关技术中当层标记的俯视结构示意图，可以看出，当层标记101'包括当层标记图案101'
‑
1和包围当层标记图案101'
‑
1的闭合的栅格101'
‑
2。相关技术中的对准标记还包括L型的对准标记。如图1E所示，为相关技术中L型标记的俯视结构示意图。
[0037]在一些实施例中，对准标记还可以设置于存储叠层中，用于作为参照物，以形成台阶结构或刻蚀沟槽。如图1F所示，为相关技术中叠层结构的剖面结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对位标记结构，其特征在于，所述对位标记结构用于作为参照物，以实现对叠层结构中介质层和牺牲层的对准，所述对位标记结构至少包括：对位标记结构图案以及包围所述对位标记结构图案的图案支撑结构；所述对位标记结构图案位于所述牺牲层的表面；所述图案支撑结构用于在去除所述牺牲层时支撑所述对位标记结构图案，所述图案支撑结构具有至少一开口，所述开口用于在对所述叠层结构进行等离子体刻蚀时，导出聚集在所述牺牲层上的电荷。2.根据权利要求1所述的对位标记结构，其特征在于，所述开口为部分开口或全开口，所述开口位于所述图案支撑结构的任一侧边。3.根据权利要求1所述的对位标记结构，其特征在于，所述图案支撑结构具有多个所述开口，具有所述开口的图案支撑结构的形状至少包括：U型结构、V型结构或S型结构。4.根据权利要求1所述的对位标记结构，其特征在于，所述开口具有预设尺寸参数；每两个开口之间的所述预设尺寸参数相同或不同。5.根据权利要求1所述对位标记结构，其特征在于，所述图案支撑结构与所述对位标记结构图案通过粘接剂固定，且所述对位标记结构图案与所述图案支撑结构之间的距离大于或等于阈值。6.根据权利要求1所述的对位标记结构，其特征在于，所述对位标记结构图案的类型包括但不限于以下至少之一：覆盖标...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢绍祥，陆聪，曾森茂，李俊文，郝蓓，李昀朋，吴林春，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：