半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:31820807 阅读:25 留言:0更新日期:2022-01-12 12:13
半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括:半导体晶圆,其具有芯片区域和边缘区域,并且具有在边缘区域中形成于半导体晶圆的一个表面上的标识标记;导电连接器,其在芯片区域中形成于半导体晶圆的一个表面上;以及虚设导电连接器,其在边缘区域中形成于半导体晶圆的一个表面上,其中,虚设导电连接器与标识标记不交叠。记不交叠。记不交叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利文档涉及半导体技术,并且更具体地,涉及具有半导体晶圆的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体晶圆可以具有集成有半导体装置的多个芯片区域。多个芯片区域通过切割可以分成多个半导体芯片。
[0003]虽然半导体晶圆具有圆形形状或与其相似的形状,但是芯片区域具有矩形形状,使得半导体晶圆在芯片区域外部具有残留区域。该残留区域可以用于各种目的。作为示例,可以在该残留区域中形成具有半导体晶圆的标识信息的标识标记。

技术实现思路

[0004]在实施方式中,一种半导体装置可以包括:半导体晶圆,其具有芯片区域和边缘区域,并且具有在边缘区域中形成于半导体晶圆的一个表面上的标识标记;导电连接器,其在芯片区域中形成于半导体晶圆的一个表面上;以及虚设导电连接器,其在边缘区域中形成于半导体晶圆的一个表面上,其中,虚设导电连接器与标识标记不交叠。
[0005]在实施方式中,一种用于制造半导体装置的方法可以包括:提供具有芯片区域和边缘区域的半导体晶圆,半导体晶圆包括在边缘区域中形成于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:半导体晶圆,所述半导体晶圆具有芯片区域和边缘区域,并且具有在所述边缘区域中形成于所述半导体晶圆的一个表面上的标识标记;导电连接器,所述导电连接器在所述芯片区域中形成于所述半导体晶圆的所述一个表面上;以及虚设导电连接器,所述虚设导电连接器在所述边缘区域中形成于所述半导体晶圆的所述一个表面上,其中,所述虚设导电连接器与所述标识标记不交叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述标识标记包括条形码。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述标识标记包括字母、数字或其组合。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述导电连接器和所述虚设导电连接器具有彼此相同的形状。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述导电连接器和所述虚设导电连接器包括导电凸块。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体晶圆包括布线结构,所述导电连接器电连接到所述布线结构,并且所述虚设导电连接器与所述布线结构电分离。7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述标识标记和所述虚设导电连接器在横向方向上彼此间隔开。8.根据权利要求1所述的半导体装置,该半导体装置还包括:种子层,所述种子层介于所述半导体晶圆的所述一个表面和每个所述导电连接器之间,并且介于所述半导体晶圆的所述一个表面和每个所述虚设导电连接器之间,其中,所述种子层在垂直方向上与所述标识标记不交叠。9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述标识标记从所述半导体晶圆的所述一个表面凹陷至预定深度,并且其中,所述导电连接器和所述虚设导电连接器从所述半导体晶圆的所述一个表面突出。10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体晶圆包括在所述芯片区域中的芯片焊盘,其中,所述导电连接器电连接至所述芯片焊盘,并且其中,所述虚设导电连接器不与所述芯片焊盘电连接。11.一种用于制造半导体装置的方法,该方法包括以下步骤:提供具有芯片区域和边缘区域的半导体晶圆,所述半导体晶圆包括在所述边缘区域中形成于所述半导体晶圆的一个表面上的标识标记;在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐铉哲
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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