包括层叠的半导体芯片的半导体封装制造技术

本申请公开了包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括设置在基板上方的子半导体封装。该子半导体封装包括在其上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片、围绕子半导体芯片的子模制层以及连接到各个芯片焊盘并在子模制层的上表面上方延伸的重分布导电层。该重分布导电层包括延伸到子模制层的边缘上并在其端部具有信号重分布焊盘的信号重分布导电层以及长度比信号重分布导电层的长度短的电源重分布导电层。该半导体封装还包括子信号互连器、子电源互连器以及形成在子半导体封装上方并且电连接到基板或子半导体芯片的至少一个主半导体芯片。少一个主半导体芯片。少一个主半导体芯片。

【技术实现步骤摘要】
包括层叠的半导体芯片的半导体封装


[0001]本专利文献涉及半导体封装，更具体地，涉及多个半导体芯片在垂直方向上层叠的半导体封装。

技术介绍

[0002]即使随着电子产品的尺寸变小，电子产品也需要大容量数据处理。因此，越来越需要增加这些电子产品中使用的半导体装置的集成度。
[0003]然而，由于半导体集成技术的限制，难以仅利用单个半导体芯片满足所需功能，因此，已制造了嵌入有多个半导体芯片的半导体封装。

技术实现思路

[0004]在实施方式中，一种半导体封装可包括：基板；设置在基板上方的子半导体封装，其中，该子半导体封装包括在其上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片、围绕子半导体芯片的侧表面的子模制层以及连接到各个芯片焊盘并在子模制层的上表面上方延伸的重分布导电层，其中，该重分布导电层包括延伸到子模制层的边缘上的信号重分布导电层，在信号重分布导电层的端部具有信号重分布焊盘，并且该重分布导电层包括长度比信号重分布导电层的长度短的电源重分布导电层；子信号互连器，其将信号重分布焊盘连接到基板；子电源互连器，其在电源重分布导电层下方在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；设置在所述基板上方的子半导体封装，其中，该子半导体封装包括在其上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片、围绕所述子半导体芯片的侧表面的子模制层以及连接到各个所述芯片焊盘并在所述子模制层的上表面上方延伸的重分布导电层，其中，该重分布导电层包括延伸到所述子模制层的边缘上的信号重分布导电层，在该信号重分布导电层的端部具有信号重分布焊盘，并且所述重分布导电层包括长度比所述信号重分布导电层的长度短的电源重分布导电层；子信号互连器，该子信号互连器将所述信号重分布焊盘连接到所述基板；子电源互连器，该子电源互连器在所述电源重分布导电层下方在垂直方向上延伸以将所述电源重分布导电层连接到所述基板；以及至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装上方并且电连接到所述基板或所述子半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述子电源互连器包括：穿透电极，该穿透电极的上表面连接到所述电源重分布导电层，该穿透电极穿透所述子模制层；以及连接电极，该连接电极设置在所述子模制层和所述基板之间，该连接电极具有连接到所述穿透电极的上表面和连接到所述基板的下表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装，该半导体封装还包括：虚设连接电极，该虚设连接电极设置在所述子模制层和所述基板之间，并且不连接到所述穿透电极。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述子信号互连器包括接合引线。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，形成经过所述电源重分布导电层、所述子电源互连器和所述基板的供电路径。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，一个电源重分布导电层连接到两个或更多个子电源互连器，其中，所述两个或更多个子电源互连器彼此间隔开。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述芯片焊盘沿着所述子半导体芯片在第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘设置，并且沿着所述子半导体芯片在第二方向上的第三侧边缘和第四侧边缘设置，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，所述信号重分布焊盘包括设置在所述子模制层在所述第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘处的多个信号重分布焊盘，其中，所述信号重分布导电层包括多个信号重分布导电层，其中，与设置在所述子半导体芯片在所述第一方向和所述第二方向上的所述第一侧边缘和所述第三侧边缘处的所述芯片焊盘连接的一些所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第一侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸，并且其中，与设置在所述子半导体芯片在所述第一方向和所述第二方向上的所述第二侧边缘和所述第四侧边缘处的所述芯片焊盘连接的其余所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第二侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述信号重分布导电层形成以所述子半导
体芯片为中心的螺旋形状。9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述基板包括设置在所述基板在所述第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘处的基板焊盘，其中，所述子信号互连器包括多个子信号互连器，并且其中，所述子信号互连器将设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第一侧边缘处的所述信号重分布焊盘连接到设置在所述基板在所述第一方向上的所述第一侧边缘处的所述基板焊盘，并且将设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第二侧边缘处的所述信号重分布焊盘连接到设置在所述基板在所述第一方向上的所述第二侧边缘处的所述基板焊盘。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述至少一个主半导体芯片包括存储器，并且所述子半导体芯片包括存储控制器。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板包括设置在所述基板在第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘处的基板焊盘，并且其中，所述至少一个主半导体芯片包括：至少一个第一主半导体芯片，所述至少一个第一主半导体芯片通过第一主互连器连接到设置在所述基板的所述第一侧边缘处的所述基板焊盘；以及至少一个第二主半导体芯片，所述至少一个第二主半导体芯片通过第二主互连器连接到设置在所述基板的所述第二侧边缘处的所述基板焊盘。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述至少一个第一主半导体芯片包括在所述第一方向上从所述基板的所述第一侧边缘朝着所述基板的所述第二侧边缘偏移层叠的多个第一主半导体芯片，并且其中，所述至少一个第二主半导体芯片包括在所述第一方向上从所述基板的所述第二侧边缘朝着所述基板的所述第一侧边缘偏移层叠的多个第二主半导体芯片。13.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述至少一个主半导体芯片包括：至少一个第一主半导体芯片，所述至少一个第一主半导体芯片通过第一主互连器连接到设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第一侧边缘处的所述信号重分布焊盘；以及至少一个第二主半导体芯片，所述至少一个第二主半导体芯片通过第二主互连器连接到设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第二侧边缘处的所述信号重分布焊盘。14.根据权利要求13所述的半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：严柱日，朴真敬，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：