半导体器件的制造方法技术

在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用结晶半导体薄膜来制造半导体器件的方法，特别是制造薄膜晶体管的方法。
技术介绍
近来，对利用在玻璃或石英衬底上形成的半导体薄膜的晶体管的关注甚多。这种薄膜晶体管(TFT)是这样制造的，即在玻璃衬底或石英衬底的表面上形成厚度为几百至几千埃()的薄膜半导体，然后使用薄膜半导体形成晶体管(绝缘栅场效应晶体管)。TFT的应用范围例如是有源矩阵式液晶显示器件。有源矩阵式液晶显示器件具有布置成矩阵的几十万个象素，TFT被提供给每个象素作为开关元件，以此实现良好的和高速的显示。为有源矩阵式液晶显示器件所设计的适合的TFT采用非晶硅薄膜。但是，基于非晶硅薄膜的TFT在性能仍很差。作为有源矩阵式的液晶显示器，如果要求具有较高的功能，则不能满足所需水平，因采用非晶硅膜的TFT的性能太低了。而且，已经提出采用TFT在单一衬底上制造集成的液晶显示系统，亦即不仅利用TFT来实现象素开关，而且利用TFT来实现外围驱动器电路。然而；由于非晶硅薄膜的工作速度很低，所以不能用来构成外围驱动器电路。尤其是，一个基本的问题是，由于利用非晶硅薄膜难以实现实用的P沟道型TFT(亦即，由于过低的性能，采用非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成的一个氮化硅膜；在所述氮化硅膜上通过等离子体化学气相淀积方法形成一个非晶硅膜；通过旋涂方法加入金属元素；进行热处理。

【技术特征摘要】
JP 1994-9-15 248790/94;JP 1995-5-6 132900/951.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤在一个衬底上形成的一个氮化硅膜；在所述氮化硅膜上通过等离子体化学气相淀积方法形成一个非晶硅膜；通过旋涂方法加入金属元素；进行热处理。2.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤在一个衬底上形成的一个氮化硅膜；在所述氮化硅膜上通过等离子体化学气相淀积方法形成一个非晶硅膜；通过溅射方法加入金属元素；进行热处理。3.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤在一个衬底上形成的一个氮化硅膜；在所述氮化硅膜上通过等离子体化学气相淀积方法形成一个非晶硅膜；通过化学气相淀积方法加入金属元素；进行热处理。4.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤在一个衬底上形成的一个氮化硅膜；在所述氮化硅膜上通过等离子体化学气相淀积方法形成一个非晶硅膜；通过蒸发方法加入金属元素；进行热处理。5.一种形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，楠本直人，寺本聪，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]