光电二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及光电二极管及其制造方法。例如，一种制造光电二极管的方法包括：在半导体衬底上形成第一导电类型的掩埋层，并在掩埋层上形成第一本征帽盖外延层。在第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层。在第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区。在第一结区以及第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层。在第二本征外延层上形成第二本征帽盖外延层。形成第一导电类型的第二结区，使得该第二结区穿过第二本征帽盖外延层以及第二本征外延层。第二结区与第一结区接触。在第二结区的表面上形成第一电极，并在第二本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及将光信号转变为电信号的光电二极管及其制造方法。
技术介绍
通常，用于光学元件的光电二极管是一光学传感器，其通过将光能转变为电能来从光信号接收电信号(即电流或电压)。光电二极管可为半导体元件，其中光电二极管的结单元具有光探测功能。这样的光电二极管利用了通过光子吸收产生过剩电子或空穴的原理，由此调节光电二极管的电导率。即，由光电二极管产生的电流根据响应入射光子的载流子的产生而变化。光电二极管的这种特性提供了将光信号转变为电信号的方法。通过将光信号转变为电信号，光电二极管可用作光拾取装置的光接收元件。光拾取装置从光记录装置例如CD、DVD、DVD R/W、COMBO、COMBI或蓝光(Blue ray)中读取数据或信息。通过将光电二极管与电路单元结合形成的光电二极管集成芯片(PDIC)正在发展中。在PDIC中，通过前置放大器处理信号。光电二极管的实例包括PN结光电二极管，PIN(P型电极-本征外延层-N+型层-P衬底)光电二极管，NIP(N型电极-本征外延层-P+型层-P衬底)光电二极管，以及利用雪崩倍增效应的雪崩光电二极管(AP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光电二极管的方法，包括：在一半导体衬底上形成第一导电类型的一掩埋层，并在该掩埋层上形成一第一本征帽盖外延层；在所述第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层，并在所述第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区；在所述第一结区和所述第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层；在所述第二本征外延层上形成一第二本征帽盖外延层；形成第一导电类型的第二结区，使得该第二结区穿过所述第二本征帽盖外延层以及所述第二本征外延层并且与所述第一结区接触；以及在所述第二结区的表面上形成第一电极，并在所述第二本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。

【技术特征摘要】
KR 2003-11-27 84960/031.一种制造光电二极管的方法，包括在一半导体衬底上形成第一导电类型的一掩埋层，并在该掩埋层上形成一第一本征帽盖外延层；在所述第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层，并在所述第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区；在所述第一结区和所述第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层；在所述第二本征外延层上形成一第二本征帽盖外延层；形成第一导电类型的第二结区，使得该第二结区穿过所述第二本征帽盖外延层以及所述第二本征外延层并且与所述第一结区接触；以及在所述第二结区的表面上形成第一电极，并在所述第二本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二结区中形成所述第一电极包括在所述第二结区中形成第一导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述第一导电类型的高浓度掺杂层接触的所述第一电极。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二本征帽盖外延层的表面上形成所述第二电极包括在所述第二本征帽盖外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述第二导电类型的高浓度掺杂层接触的所述第二电极。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二本征外延层上形成划分所述光电二极管的光接收单元的第一导电类型的高浓度掺杂层。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二电极之后形成抗反射涂层。6.一种制造光电二极管的方法，包括在一半导体衬底上形成第一导电类型的一掩埋层，并在该掩埋层上形成一本征帽盖外延层；在所述本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层，并在所述第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区；在所述第一结区以及所述第一本征外延层上形成第二导电类型的一第二本征外延层；形成第一导电类型的第二结区，使得该第二结区穿过所述第二本征外延层并且与所述第一结区接触；以及在所述第二结区的表面上形成第一电极，并在所述第二本征外延层的表面上形成第二电极。7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第二结区中形成所述第一电极包括在所述第二结区中形成第一导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述第一导电类型的高浓度掺杂层接触的所述第一电极。8.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第二本征外延层的表面上形成所述第二电极包括在所述第二本征外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述高浓度掺杂层接触的所述第二电极。9.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述第二本征外延层上形成划分所述光电二极管的光接收单元的第一导电类型的高浓度掺杂层。10.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述第二电极之后形成抗反射涂层。11.一种制造光电二极管的方法，包括在一半导体衬底上形成一第一导电类型的掩埋层，在该掩埋层上形成第一导电类型的第一本征外延层，并在所述第一本征外延层中形成第一导电类型的第一结区；在所述第一结区以及所述第一本征外延层上形成第二导电类型的第二本征外延层；在所述第二本征外延层上形成一本征帽盖外延层；形成第一导电类型的第二结区，使得该第二结区穿过所述本征帽盖外延层以及所述第二本征外延层并且与所述第一结区接触；在所述第二结区的表面上形成第一电极；以及在所述本征帽盖外延层的表面上形成第二电极。12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述本征帽盖外延层的表面上形成所述第二电极包括在所述本征帽盖外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述高浓度掺杂层接触的所述第二电极。13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第二结区中形成所述第一电极包括在所述第二结区中形成第一导电类型的高浓度掺杂层；以及形成与所述第一导电类型的高浓度掺杂层接触的所述第一电极。14.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述第二本征外延层上形成划分所述光电二极管的光接收单元的第一导电类型的高浓度掺杂层。15.根据权利要求11所述的方法，还包括在形成所述第二电极之后形成抗反射涂层。16.一种制造光电二极管的方法，该方法包括在一P型半导体衬底上形成一P型掩埋层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟桂元，裵晟烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]